[发明专利]具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造装置，更为详细地，涉及一种如下的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置：用于抑制在制造半导体或液晶显示器（LCD）时从化学气相蒸镀（CVD，Chemical Vapor Deposition）处理腔排出并通过真空泵的气体中的反应副产物以粉末状蒸镀在排气管内，在前级管道（Fore line）及排气管道（exhaust line）内分别配置加热组件并一同使用直接及间接加热方式，从而能够延长前级管道及排气管道的清洗周期。

背景技术

一般来讲，半导体制造工序大体由前工序（制造工序）和后工序（封装工序）构成。

前工序中，在各种处理腔内，在晶片（Wafer）上蒸镀薄膜，并对所蒸镀的薄膜进行选择性刻蚀，通过反复执行这些过程来加工特定的图案，从而制造半导体芯片（Chip）。并且，后工序中，单独分离出在前工序中制造的芯片后，与引线框架（Lead frame）结合来封装为成品。

此时，在晶片上蒸镀薄膜或对在晶片上蒸镀的薄膜进行刻蚀工序在处理腔内使用有害气体在高温下执行。在执行这种工序的期间，在处理腔的内部会大量产生各种可燃性气体和包括腐蚀性杂质及有毒成分的气体等。即，在处理腔内部只有有害气体的约30%蒸镀在晶片的表面，一部分未反应的气体则排出。

因此，在用于使处理腔成为真空状态的真空泵的后端设置用于将从处理腔排出的气体净化后向大气放出的洗涤器（scrubber）。

但是，发生了气体在处理腔和真空泵之间固化而变为粉末的情况，粉末粘着于前级管道和排气管道，致使排气压力上升的同时，在粉末流入真空泵的情况下，引起真空泵的故障。即，从处理腔向泵排出的气体中的反应副产物（By-product）粘着于前级管道及排气管道的内壁，引发了前级管道和排气管道的堵塞现象，并由于固着于真空泵的本体，而致使真空泵受损，从而缩短了寿命。

由此，正从各方面致力于解决如上所述的问题，作为具有代表性方案之一，在前级管道或排气管道的外部表面配置加热套（heating jacket）。但是，由于这采用的是间接加热方式，因而存在粉末的去除效率低的问题，由此需要向直接加热方式进行转换。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：韩国1020070030615A

专利文献2：韩国200366263Y1

发明内容

本发明用于解决如上所述的问题，本发明的目的在于，提供如下的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置：在前级管道及排气管道分别配置加热组件，一同使用直接及间接加热方式，经前级管道和排气管道进行双重加热，能够有效抑制从处理腔排出并通过真空泵的气体中的反应副产物以粉末状蒸镀在前级管道及排气管道内。

为了达成上述目的，本发明提供一种具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置，由用于连接处理腔与真空泵之间的前级管道和用于连接上述真空泵与洗涤器之间的排气管道构成，其特征在于，包括分别配置于上述前级管道和排气管道的加热组件。

在此，优选地，上述前级管道包括：中心连接管，一对L字形的中间连接管，与上述中心连接管形成直角，并分别与上述中心连接管的两端相连接，以及垂直连接管，设置于上述中间连接管中的一个；一对上述中间连接管配置为彼此在一条直线上。

优选地，上述加热组件包括：加热套，以包覆上述前级管道和排气管道的外表面的方式设置，以及内部加热器（inner heater），设置于上述前级管道和排气管道的内部；上述内部加热器包括：公端子和母端子，绝缘材料，包覆上述公端子和母端子来使它们绝缘，以及镁金属保护管，压缩并包覆上述绝缘材料的外周面；上述内部加热器为线圈型。

优选地，上述绝缘材料的密度为2g/cm²～3g/cm²。

优选地，对上述镁金属保护管的内部和外部的表面还涂敷氮化铬（Chromium Nitride）。

优选地，以上述镁金属保护管的内部和外部的表面还涂敷类金刚石碳（DLC，Diamond-like-Carbon）。

优选地，对上述公端子和母端子同时压缩绝缘材料及镁金属保护管。

优选地，还设有第二温度传感器，所述第二温度传感器向上述前级管道和排气管道的中空内露出，用于将上述前级管道和排气管道的内部维持在适当温度。

优选地，还设有第一温度传感器，所述第一温度传感器设置于上述前级管道和排气管道，用于防止上述前级管道和排气管道过热。