[发明专利]具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置有效
申请号: | 201310627015.6 | 申请日: | 2013-11-28 |
公开(公告)号: | CN103871930A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 金基南 | 申请(专利权)人: | M.I株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 | 代理人: | 张良 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 抑制 粉末 产生 功能 半导体 制造 装置 | ||
1.一种具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,由用于连接处理腔与真空泵之间的前级管道和用于连接上述真空泵与洗涤器之间的排气管道构成,其特征在于,包括分别配置于上述前级管道和排气管道的加热组件。
2.根据权利要求1所述的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,其特征在于,
上述前级管道包括:
中心连接管,
一对L字形的中间连接管,与上述中心连接管形成直角,并分别与上述中心连接管的两端相连接,以及
垂直连接管,设置于上述中间连接管中的一个;
一对上述中间连接管配置为彼此在一条直线上。
3.根据权利要求1所述的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,其特征在于,
上述加热组件包括:
加热套,以包覆上述前级管道和排气管道的外表面的方式设置,以及
内部加热器,设置于上述前级管道和排气管道的内部;
上述内部加热器包括:
公端子和母端子,
绝缘材料,包覆上述公端子和母端子来使它们绝缘,以及
镁金属保护管,压缩并包覆上述绝缘材料的外周面;
上述内部加热器为线圈型。
4.根据权利要求3所述的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,其特征在于,上述绝缘材料的密度为2g/cm2~3g/cm2。
5.根据权利要求4所述的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,其特征在于,对上述镁金属保护管的内部和外部的表面还涂敷氮化铬。
6.根据权利要求5所述的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,其特征在于,对上述镁金属保护管的内部和外部的表面还涂敷类金刚石碳。
7.根据权利要求6所述的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,其特征在于,对上述公端子和母端子同时压缩绝缘材料及镁金属保护管。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,其特征在于,还设有第二温度传感器,所述第二温度传感器向上述前级管道和排气管道的中空内露出,用于将上述前级管道和排气管道的内部维持在适当温度。
9.根据权利要求2至7中任一项所述的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,其特征在于,还设有第一温度传感器,所述第一温度传感器设置于上述前级管道和排气管道,用于防止上述前级管道和排气管道过热。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造