[发明专利]具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置有效

专利信息
申请号: 201310627015.6 申请日: 2013-11-28
公开(公告)号: CN103871930A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 金基南 申请(专利权)人: M.I株式会社
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 代理人: 张良
地址: 韩国忠清*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 具有 抑制 粉末 产生 功能 半导体 制造 装置
【权利要求书】:

1.一种具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,由用于连接处理腔与真空泵之间的前级管道和用于连接上述真空泵与洗涤器之间的排气管道构成,其特征在于,包括分别配置于上述前级管道和排气管道的加热组件。

2.根据权利要求1所述的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,其特征在于,

上述前级管道包括:

中心连接管,

一对L字形的中间连接管,与上述中心连接管形成直角,并分别与上述中心连接管的两端相连接,以及

垂直连接管,设置于上述中间连接管中的一个;

一对上述中间连接管配置为彼此在一条直线上。

3.根据权利要求1所述的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,其特征在于,

上述加热组件包括:

加热套,以包覆上述前级管道和排气管道的外表面的方式设置,以及

内部加热器,设置于上述前级管道和排气管道的内部;

上述内部加热器包括:

公端子和母端子,

绝缘材料,包覆上述公端子和母端子来使它们绝缘,以及

镁金属保护管,压缩并包覆上述绝缘材料的外周面;

上述内部加热器为线圈型。

4.根据权利要求3所述的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,其特征在于,上述绝缘材料的密度为2g/cm2~3g/cm2

5.根据权利要求4所述的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,其特征在于,对上述镁金属保护管的内部和外部的表面还涂敷氮化铬。

6.根据权利要求5所述的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,其特征在于,对上述镁金属保护管的内部和外部的表面还涂敷类金刚石碳。

7.根据权利要求6所述的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,其特征在于,对上述公端子和母端子同时压缩绝缘材料及镁金属保护管。

8.根据权利要求2至7中任一项所述的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,其特征在于,还设有第二温度传感器,所述第二温度传感器向上述前级管道和排气管道的中空内露出,用于将上述前级管道和排气管道的内部维持在适当温度。

9.根据权利要求2至7中任一项所述的具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置,其特征在于,还设有第一温度传感器,所述第一温度传感器设置于上述前级管道和排气管道,用于防止上述前级管道和排气管道过热。

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