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[发明专利]多孔玻璃过滤器及其制造方法-CN202210968867.0在审
发明人： 金基南;金正鎬 -专利权人： KNC股份公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C03C11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔玻璃过滤器及其制造方法，该多孔玻璃过滤器是通过在玻璃化转变温度下对由碱金属氧化物和三氧化二硼以及二氧化硅构成的碱硼硅酸盐玻璃进行热处理而将其相分离成碱硼相以及二氧化硅相、然后通过进行热处理或酸处理而溶出三氧化二硼的多孔玻璃过滤器。该制造方法包括：通过对碱金属氧化物和三氧化二硼以及二氧化硅进行熔融以及冷却而制造出碱硼硅酸盐玻璃的玻璃生成步骤；通过在玻璃化转变温度下对所述碱硼硅酸盐玻璃进行热处理而将其相分离成碱硼相以及二氧化硅相的相分离步骤；以及通过对经过相分离的所述碱硼硅酸盐玻璃进行热处理或酸处理而溶出碱硼并借此生成细孔的细孔生成步骤。该多孔玻璃过滤器因其细孔径为1nm而可以在使得如氢气、甲烷、丙烷以及醇类等可燃性以及还原性气体通过的同时对硅氧烷或硅等气体进行阻隔，从而防止气体传感器中毒，而且因其多孔性达到30％以上而可以确保优秀的过滤效果。
多孔玻璃过滤器及其制造方法

[发明专利]薄膜沉积用汽化装置-CN202011324269.7在审
发明人： 金基南 -专利权人： M.I有限责任公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明的汽化装置可包括：喷雾器，将通过源注入口注入的源和通过载气注入口注入的载气混合，并且喷射混合的气体；汽化部，具有第一及第二汽化空间，用于汽化从所述喷雾器喷射的混合气体，并且所述汽化部将汽化的气体作为工艺气体通过出口排放；及加热部，用于将所述汽化部内的混合气体保持预定温度。所述加热部可包括：第一加热部，排列成包围所述第一汽化空间，以保持所述第一汽化空间内的混合气体的温度；及第二加热部，与所述第一加热部一同排列成包围所述第二汽化空间，以保持所述第二汽化空间内的混合气体的温度。
薄膜沉积汽化装置

[发明专利]真空配管用夹具-CN201310626259.2有效
发明人： 金基南 -专利权人： M.I株式会社
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及真空配管用夹具，设有在半导体制造工序时用于维持主装备内的真空的多个真空配管线，不因真空配管线产生持续振动而松脱，可维持气密，使真空配管的连接稳固。真空配管用夹具用于使第一配管的第一突缘与第二配管的第二突缘以隔着中心环相接触的状态能分离地固定，包括沿内径形成第一突缘和第二突缘的第一插入槽的第一夹具。第二夹具沿内径形成第一突缘和第二突缘的第二插入槽。连杆的两端能转动地与第一夹具和第二夹具的自由端铰链结合。锁紧部件的一端与第一夹具铰链结合，另一端能分离地与第二夹具结合。第二夹具的自由端形成有固定台阶部。一个以上的辅助固定部件在第一夹具和第二夹具的外周面的一侧形成出入孔，且能通过出入孔出入。
真空管用夹具

[发明专利]具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置-CN201310627015.6有效
发明人： 金基南 -专利权人： M.I株式会社
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及具有抑制粉末产生功能的半导体制造装置，用于抑制在制造半导体或液晶显示器时从化学气相蒸镀处理腔排出并通过真空泵的气体中的反应副产物以粉末状蒸镀在排气管道内，在前级管道及排气管道内分别配置加热组件并一同使用直接及间接加热方式，从而能够延长前级管道及排气管道的清洗周期。本发明的半导体制造装置包括用于连接处理腔和真空泵之间的前级管道。排气管道连接真空泵和洗涤器之间。加热组件分别配置于前级管道和排气管道。
具有抑制粉末产生功能半导体制造装置

[发明专利]用于选择性地显示图像的源设备和方法-CN201210593987.3无效
发明人： 金基南 -专利权人：株式会社泛泰
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G09G5/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于选择性地显示图像的源设备和方法。一种利用处理器的用于选择性图像分布的方法，该方法包括：确定图像是否包括非显示图像层和显示图像层；利用所述处理器通过合成所述显示图像层生成共享图像。一种设备，该设备包括：确定图像是否包括非显示图像层和显示图像层的层配置单元；合成所述显示图像层以生成共享图像的层合成单元。
用于选择性显示图像设备方法

[发明专利]控制嵌段共聚物的形态-CN201180056236.1无效
发明人： 金基南;S·斯维尔 -专利权人：道康宁公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C08L83/10 文献下载
摘要：本发明提供一种控制有机硅有机嵌段共聚物的形态的方法，所述方法包括向该有机硅有机嵌段共聚物添加MQ树脂并进行退火。所述方法可用于形成可在电子器件制造中使用的薄膜。所述方法还可用于形成粘合剂、释离涂层和可逆弹性体。
控制共聚物形态

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN99107373.8无效
发明人：梁元硕;金基南;赵昶贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-05-18 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：提供在金属氧化物半导体晶体管中的一种改进的源/漏结构形及其制造方法，其中其在外围区中形成栅双侧壁间隔层，同时在单元阵列区中形成栅单侧壁间隔层。形成的双侧壁间隔层有利地抑制短沟道效应，防止漏电流和减少薄层电阻。外围区中用于第二间隔层的绝缘层留在单元阵列区中，并在用于形成接触开口的层间绝缘层的腐蚀步骤期间用作腐蚀停止层，而且在硅化作用形成的步骤期间用作阻挡层，由此简化制造工艺。
半导体器件制造方法