[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法有效
申请号: | 201310606628.1 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN103872079B | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 金勋;朴镇宇;崔宰赫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 康泉,王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年12月14日向韩国知识产权局申请的标题为“有机发光二极管显示器及其制造方法”的韩国专利申请10-2012-0146636的优先权和权益,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
实施方式涉及有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。
背景技术
由于有机发光二极管(OLED)显示器以优异的视角、对比度、响应速度和能耗为特征,它的应用领域已经从例如MP3播放器和移动电话的个人便携装置扩大到电视。
发明内容
实施方式涉及到有机发光二极管显示器,包括基板、布置在所述基板上并包括第一电极、有机发光膜和第二电极的叠层的有机发光单元,形成在所述基板上以覆盖所述有机发光单元的第一无机膜,所述第一无机膜包括SnO2,和形成在所述第一无机膜上的第二无机膜,所述第二无机膜包括SnO并在顶表面包括SnO2,所述SnO的比例沿所述第二无机膜的顶表面到所述第一无机膜的方向增加。
所述第一无机膜和所述第二无机膜可进一步包括P2O5、BPO4、SnF2或WO3的一种或多种。
所述第二无机膜可形成以覆盖所述第一无机膜和所述基板。
所述第二无机膜可直接形成在所述第一无机膜上。
所述第一无机膜和所述第二无机膜具有低于所述有机发光膜的改性温度的从固态到液态的相变温度。
所述第一无机膜和所述第二无机膜可通过熔融和固化处理。
所述第一无机膜可具有约100nm至约500nm的厚度。
实施方式还涉及制造有机发光二极管显示器的方法,所述方法包括在基板上形成有机发光单元,在含氧条件下通过使用低温相变(LPT)无机材料形成第一无机膜,以覆盖所述有机发光单元;和在缺氧条件下通过使用所述LPT无机材料在所述第一无机膜上形成第二无机膜。
所述第一无机膜可包括SnO2。
所述LPT无机材料可包括SnO,SnO和P2O5的混合物,SnO和BPO4的混合物,SnO、SnF2和P2O5的混合物,SnO、SnF2、P2O5和NbO的混合物,或SnO、SnF2、P2O5和WO3的混合物。
可通过溅射法、气相沉积法、低温沉积法、等离子增强化学气相沉积法、等离子体离子辅助沉积法、电子束涂布法或离子电镀法中的一种或多种进行所述第一无机膜的形成和所述第二无机膜的形成。
可使用所述溅射法形成所述第一无机膜,并且,在使用所述溅射法形成所述第一无机膜时,氧和氩的注入量之间的比可为约0.005:1至约1:1。
可通过空气中的氧来氧化所述第二无机膜的顶表面。
所述第一无机膜可具有约100nm至约500nm的厚度。
所述方法可进一步包括,在形成所述第二无机膜后,进行修复过程(healing process),并对所述显示器进行后处理过程,其中在所述修复过程中,通过在高于它的相变温度的温度下加热所述第一无机膜和所述第二无机膜以为所述第一无机膜和所述第二无机膜提供流动性。
所述后处理过程可包括化学处理、等离子体处理、高温含氧室处理,高温保湿室处理或表面掺杂中的一种或多种。
附图说明
通过参照附图详细说明示例性实施方式,以上和其它特征与优点将变得更明显,其中:
图1为说明根据实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器的截面示意图;
图2为说明图1中显示的部分A的部分截面图;和
图3为说明根据另一个实施方式的OLED显示器的截面示意图。
具体实施方式
以下将参考附图更完整地描述示例性实施方式;但它们可以以不同形式实施且不应理解为仅限于在此陈述的实施方式。更确切地说,这些实施方式的提供使本公开更为彻底和完全,并将示例性的实施方式的范围充分地呈现给本领域技术人员。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的