[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法有效
申请号: | 201310606628.1 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN103872079B | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 金勋;朴镇宇;崔宰赫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 康泉,王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
基板;
布置在所述基板上并包括第一电极、有机发光膜和第二电极的叠层的有机发光单元;
形成在所述基板上以覆盖所述有机发光单元的第一无机膜,所述第一无机膜包括SnO2;和
形成在所述第一无机膜上的第二无机膜,所述第二无机膜包括SnO并在顶表面包括SnO2,所述SnO的比例沿从所述第二无机膜的顶表面到所述第一无机膜的方向而增加,
其中所述第一无机膜和所述第二无机膜具有低于所述有机发光膜的改性温度的从固态到液态的相变温度。
2.根据权利要求1所述的显示器,其中,所述第一无机膜和所述第二无机膜进一步包括P2O5、BPO4、SnF2或WO3中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的显示器,其中,所述第二无机膜形成为覆盖所述第一无机膜和所述基板。
4.根据权利要求1所述的显示器,其中,直接在所述第一无机膜上形成所述第二无机膜。
5.根据权利要求1所述的显示器,其中,通过熔融和固化处理所述第一无机膜和所述第二无机膜。
6.根据权利要求1所述的显示器,其中,所述第一无机膜具有100nm至500nm的厚度。
7.一种制造有机发光二极管显示器的方法,所述方法包括:
在基板上形成有机发光单元;
在含氧条件下通过使用低温相变无机材料形成第一无机膜,以覆盖所述有机发光单元;和
在缺氧条件下通过使用所述低温相变无机材料在所述第一无机膜上形成第二无机膜。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述第一无机膜包括SnO2。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,所述低温相变无机材料包括:
SnO;
SnO和P2O5的混合物;
SnO和BPO4的混合物;
SnO、SnF2和P2O5的混合物;
SnO、SnF2、P2O5和NbO的混合物;或
SnO、SnF2、P2O5和WO3的混合物。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,通过溅射法、气相沉积法、低温沉积法、等离子增强化学气相沉积法、等离子体离子辅助沉积法、电子束涂布法或离子电镀法中的一种或多种进行所述第一无机膜的形成和所述第二无机膜的形成。
11.根据权利要求7所述的方法,其中,使用溅射法形成所述第一无机膜,并且,在使用所述溅射法形成所述第一无机膜时,氧和氩的注入量的比为0.005:1至约1:1。
12.根据权利要求7所述的方法,其中,通过空气中的氧来氧化所述第二无机膜的顶表面。
13.根据权利要求7所述的方法,其中,所述第一无机膜具有100nm至500nm的厚度。
14.根据权利要求7所述的方法,进一步包括在形成所述第二无机膜后:
通过在高于它的相变温度的温度下加热所述第一无机膜和所述第二无机膜进行为所述第一无机膜和所述第二无机膜提供流动性的修复过程,
对所述显示器进行后处理过程。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述后处理过程包括化学处理、等离子体处理、高温含氧室处理、高温保湿室处理或表面掺杂中的一种或多种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的