[发明专利]肖特基二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：

半导体衬底；

外延层，位于所述半导体衬底的一侧；

保护环，位于背离所述半导体衬底一侧的所述外延层中；

凹槽，位于所述外延层背离所述半导体衬底一侧的表面，所述保护环包围所述凹槽，并与所述凹槽通过所述外延层相隔离，所述凹槽的深度小于所述保护环的深度。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管还包括：

钝化层，位于所述外延层背离所述半导体衬底一侧，所述钝化层具有一引线孔，所述保护环围绕所述引线孔；

势垒合金层，位于所述引线孔中的所述外延层上；

正面电极，位于所述势垒合金层上；

背面电极，位于所述半导体衬底背离所述外延层的一侧。

3.如权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述钝化层的材料为二氧化硅。

4.如权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述势垒合金层的厚度为

5.如权利要求1-4中任意一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述凹槽的深度小于等于所述保护环的深度的三分之二。

6.如权利要求1-4中任意一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述凹槽的深度比所述保护环的深度小0.6μm～1.6μm。

7.如权利要求1-4中任意一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述凹槽的深度为0.6μm～0.8μm。

8.如权利要求1-4中任意一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述保护环的深度为1.2μm～2μm。

9.如权利要求1-4中任意一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述保护环的内径与所述凹槽之间的距离为15μm～30μm。

10.一种肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底的一侧具有一外延层；

在所述外延层背离所述半导体衬底的一侧形成一阻挡层，所述阻挡层具有一开口；

对所述半导体衬底进行热氧化工艺，以在所述开口处的所述外延层表面形成一凹槽，所述凹槽内具有局部氧化层；

去除所述阻挡层以及局部氧化层；

在背离所述半导体衬底一侧的所述外延层中形成一保护环；

其中，所述保护环包围所述凹槽，并与所述凹槽通过所述外延层相隔离，所述凹槽的深度小于所述保护环的深度。

11.如权利要求10所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述在背离所述半导体衬底一侧的所述外延层中形成一保护环的步骤包括：

在所述外延层背离所述半导体衬底一侧形成一钝化层；

在所述外延层形成一环形窗口，所述环形窗口的内径大于所述凹槽的宽度；

以所述环形窗口为掩膜，对所述外延层进行离子注入，以形成所述保护环。

12.如权利要求11所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述肖特基二极管的制作方法还包括：

在所述外延层形成一引线孔，所述保护环围绕所述引线孔；

在所述引线孔中的所述外延层上形成一势垒合金层；

在所述势垒合金层上形成一正面电极，在所述半导体衬底背离所述外延层的一侧形成一背面电极。

13.如权利要求12所述的肖特基二极管，其特征在于，所述钝化层的材料为二氧化硅。

14.如权利要求12所述的肖特基二极管，其特征在于，所述势垒合金层的厚度为

15.如权利要求11-14中任意一项所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述阻挡层包括一氧化层和一氮化层，所述氮化层位于所述氧化层背离所述外延层的一侧。

16.如权利要求15所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述在所述外延层背离所述半导体衬底的一侧形成一阻挡层，所述阻挡层具有一开口的步骤包括：

在所述外延层背离所述半导体衬底的一侧形成所述氧化层；

在所述氧化层背离所述外延层的一侧形成所述氮化层；

对所述氮化层进行光刻工艺，在所述氮化层上形成开口图案；

以所述开口图案为掩膜，依次对所述氮化层和氧化层进行刻蚀，以形成所述开口。