[发明专利]RFLDMOS工艺中不同电容密度的MOS电容集成结构及制造方法在审
| 申请号： | 201310589766.3 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104659031A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 遇寒;蔡莹;周正良;李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08;H01L21/822;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | rfldmos 工艺 不同 电容 密度 mos 集成 结构 制造 方法 | ||
1.一种RFLDMOS工艺中不同电容密度的MOS电容集成结构，其特征在于：MOS电容用于和RFLDMOS器件匹配连接，所述MOS电容包括两种结构，令第一种结构的所述MOS电容为MOS电容一，令第二种结构的所述MOS电容为MOS电容二；所述MOS电容一的电容密度低于所述MOS电容二的电容密度，所述MOS电容一和所述MOS电容二的下极板都由重掺杂的硅衬底组成；
所述MOS电容一的电容介质层由硅局部氧化层以及形成于所述硅局部氧化层表面的第一介质层组成，所述硅局部氧化层的形成区域形成有深沟槽，所述深沟槽内的硅被去除，所述硅局部氧化层由对所述深沟槽的侧面和底部的硅进行氧化形成，所述硅局部氧化层将所述深沟槽完全填充且所述硅局部氧化层的深度大于所述深沟槽的深度，由所述硅局部氧化层和所述第一介质层的厚度确定所述MOS电容一的电容密度，所述硅局部氧化层的厚度由所述深沟槽的深度和氧化工艺确定；
所述MOS电容二的电容介质层由形成于所述硅衬底表面的第二介质层组成，由所述第二介质层的厚度确定所述MOS电容二的电容密度；所述第二介质层的厚度小于所述硅局部氧化层的厚度；
所述MOS电容一和所述MOS电容二的上极板由相同的正面金属层刻蚀后形成；所述MOS电容一的上极板依次覆盖所述第一介质层、所述硅局部氧化层和所述硅衬底并由叠加而成的所述硅衬底、所述硅局部氧化层、所述第一介质层和对应的所述上极板组成所述MOS电容一的本体结构；所述MOS电容二的上极板依次覆盖所述第二介质层和所述硅衬底并由叠加而成的所述硅衬底、所述第二介质层和对应的所述上极板组成所述MOS电容二的本体结构。
2.如权利要求1所述的RFLDMOS工艺中不同电容密度的MOS电容集成结构，其特征在于：各所述MOS电容一的电容密度相同、各所述MOS电容二的电容密度相同，所述第一介质层和所述第二介质层为同一介质层。
3.如权利要求2所述的RFLDMOS工艺中不同电容密度的MOS电容集成结构，其特征在于：所述深沟槽的深度为2微米，所述硅局部氧化层的厚度为4.3微米，所述第一介质层和所述第二介质层为1.7微米。
4.如权利要求1或2所述的RFLDMOS工艺中不同电容密度的MOS电容集成结构，其特征在于：所述MOS电容一和所述MOS电容二的上极板的所述正面金属层的厚度为3微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
