[发明专利]有机金属聚合物组合物,制备它的方法,和由其制造的有机发光二极管在审
申请号: | 201310575175.0 | 申请日: | 2013-11-15 |
公开(公告)号: | CN103865220A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | J.J.冯 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司 |
主分类号: | C08L43/00 | 分类号: | C08L43/00;C08K5/55;C08K5/01;C08F130/04;H01L51/54 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 吴培善 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 金属 聚合物 组合 制备 方法 制造 发光二极管 | ||
1.一种组合物,其包括至少一种掺杂剂,和含有至少一种选自结构I的单元的聚合物:
(结构I),
其中M选自Fe,Co,或Ni;
R1,R2,R3,R4和R5各自独立地选自氢;氘;卤素;取代的或未取代的(C1-C16)烷基;取代的或未取代的(C6-C16)芳基;取代的或未取代的(C3-C16)环烷基;取代的或未取代的5-至7-元杂环烷基;稠合有一个或多个环烷基的取代的或未取代的(C6-C16)芳基;稠合有一个或多个取代的或未取代的芳族环的5-至7-元杂环烷基或稠合有一个或多个取代的或未取代的芳族环的(C3-C16)环烷基;取代的或未取代的(C1-C16)甲硅烷基;氰基;硝基;或羟基;
n为大于或等于1;
x为0至4;和
y为0至5。
2.权利要求1的组合物,其中所述掺杂剂是P-型掺杂剂。
3.权利要求1的组合物,其中M是Fe。
4.前述权利要求中任一项的组合物,其中n为1至1,000,和x和y都是0。
5.权利要求1至3中任一项的组合物,其中所述聚合物包括选自以下结构的至少一种单元:
或其组合。
6.权利要求1-3中任一项的组合物,其中该组合物的聚合物包括选自以下结构的至少一种单元:
或其组合。
7.权利要求1-3中任一项的组合物,其中所述P-型掺杂剂是有机金属化合物或有机金属盐。
8.权利要求7的组合物,其中所述P-型掺杂剂具有选自以下之一的结构:
或其组合。
9.权利要求1-3中任一项的组合物,其中所述组合物中聚合物的量为70wt%至99wt%,和所述组合物中P-型掺杂剂的量为1wt%至30wt%,都基于该组合物的重量。
10.一种膜,其包括至少两层,层A和层B,其中层A由组合物A形成,所述组合物A包括含有至少一种选自结构I的单元的聚合物:
(结构I),
其中M选自Fe,Co,或Ni;
R1,R2,R3,R4和R5各自独立地选自氢;氘;卤素;取代的或未取代的(C1-C16)烷基;取代的或未取代的(C6-C16)芳基;取代的或未取代的(C3-C16)环烷基;取代的或未取代的5-至7-元杂环烷基;稠合有一个或多个环烷基的取代的或未取代的(C6-C16)芳基;稠合有一个或多个取代的或未取代的芳族环的5-至7-元杂环烷基或稠合有一个或多个取代的或未取代的芳族环的(C3-C16)环烷基;取代的或未取代的(C1-C16)甲硅烷基;氰基;硝基;或羟基;
n为大于或等于1;
x为0至4;和
y为0至5。
11.权利要求10的膜,其中层B是空穴传输层。
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