[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法和包括该阵列基板的显示装置。

背景技术

高级超维场转换技术(ADSDS，ADvanced Super Dimension Switch,Short for ADS)通过同一平面内狭缝电极(像素电极)边缘所产生的电场以及狭缝电极层(像素电极层)与板状电极层（公共电极）间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。

随着产品分辨率的不断提高，像素的尺寸越来越小，对于像素开口率要求也不断提高，所以黑矩阵宽度尽可能减小；同时由于ADSDS产品的公共电极一般为铟锡氧化物（Indium Tin Oxides，简称ITO）制作，其中ITO电阻较高，为了减小电阻-电容(RC)延迟并增加存储电容，在设计公共电极时会尽可能增加公共电极的面积，一般地ITO和数据线会完全重叠设计。

具体的，现有的高分辨率的显示装置如图1所示，包括：阵列基板20、彩膜基板27以及设置在两者之间的液晶层34。其中，彩膜基板27包括平坦层24，在该平坦层24上设置红/绿/蓝亚像素单元23，相邻亚像素单元23之间设有黑矩阵22；阵列基板20通常包括数据线12，设置在阵列基板20上的衬底基板，该衬底基板上设有公共电极14，在公共电极14上方设置绝缘层15，在绝缘层15上方设置像素电极16，像素电极16为狭缝电极，像素电极16间隔设置在各亚像素单元23的对应下方。

当数据线12通电时，像素电极16和公共电极15之间产生边缘电场32，在电场作用区域内，位于液晶层34的液晶分子31会发生偏转，入射背光11经液晶层34的作用后有出射光21从亚像素单元区域26部位射出（图1中左侧），呈现相应颜色的光束。当无电场作用时，液晶分子31无偏转，无出射光，呈黑态。

由于高分辨率产品黑矩阵宽度一般都小于6.0μm，黑矩阵和数据线的重叠宽度较小，如果彩膜基板27和阵列基板20对盒向一侧发生轻微偏移时，如图2所示，像素电极16和公共电极25形成的边缘电场范围会接近甚至超出黑矩阵22另一侧，即液晶层偏转的范围会接近甚至超出黑矩阵22另一侧。当显示装置单独显示红、绿、蓝画面，即对第一个亚像素单元23加载数据电压，相邻亚像素单元23不加载电压，则除第一个亚像素单元23的出射光21以外，在靠近相邻亚像素单元23的黑矩阵一侧会有较轻微的出射光25，因此会导致第一个亚像素单元23的单色出射光（如红）与相邻亚像素单元23的出射单色光（如绿）发生混色（如黄色），且该问题在侧视角情况下会更加严重。

发明内容

本发明的目的是解决现有技术中显示装置中容易混色的问题，提供一种能够避免混色的阵列基板和显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有与各亚像素单元区域相对应的像素电极层，所述的像素电极层包括多个间隔设置的条状像素电极；所述衬底基板上还设置有与所述的像素电极层相互绝缘设置的公共电极，所述的公共电极位于两相邻亚像素单元区域之间的位置设置有预设间隔的狭缝。

本发明提供的阵列基板中公共电极和像素电极之间的边缘电场的范围只能作用到公共电极的外侧边缘，该边缘电场不能作用到相邻亚像素单元，即当亚像素单元加电压，而相邻亚像素单元不加电压时，边缘电场不能驱动液晶分子长轴沿平行电场方向转动，不会造成相邻亚像素单元产生出射光，从而避免造成混色。

优选的是，位于两相邻亚像素单元区域之间位置的所述的条状像素电极之间同层设置有补偿电阻层。由于在补偿电阻层和相邻像素单元的像素电极之间形成平面电场，平面电场和边缘电场能够叠加作用于像素单元上方的液晶分子，提高了入射光的透过率。

优选的是，所述补偿电阻层采用氧化铟锡制作，厚度范围为，或者所述补偿电阻层采用导电金属制作厚度范围为。

优选的是，所述补偿电阻层的宽度范围为2.0-3.0um。

优选的是，所述预设间隔的狭缝的宽度范围为2.0-3.0um。

优选的是，所述补偿电阻层的边缘与相邻的所述条状像素电极边缘的宽度范围为2.0-3.0um。

优选的是，所述阵列基板上还设置有公共电极线，所述条状像素电极和公共电极之间设有绝缘层，所述的补偿电阻层设在绝缘层上，并通过设置在所述绝缘层上的过孔连接到公共电极线。

本发明的另一个目的是解决现有技术的显示装置的相邻像素单元容易混色的问题，提供一种能够避免混色的显示装置。