[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有与各亚像素单元区域相对应的像素电极层，所述的像素电极层包括多个间隔设置的条状像素电极；所述衬底基板上还设置有与所述的像素电极层相互绝缘设置的公共电极，其特征在于，所述的公共电极位于两相邻亚像素单元区域之间的位置设置有预设间隔的狭缝。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于两相邻亚像素单元区域之间位置的所述的条状像素电极之间同层设置有补偿电阻层。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述补偿电阻层采用氧化铟锡制作，厚度范围为，或者所述补偿电阻层采用导电金属制作厚度范围为。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述补偿电阻层的宽度范围为2.0-3.0um。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述预设间隔的狭缝的宽度范围为2.0-3.0um。

6.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述补偿电阻层的边缘与相邻的所述条状像素电极边缘的宽度范围为2.0-3.0um。

7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上还设置有公共电极线，所述条状像素电极和公共电极之间设有绝缘层，所述的补偿电阻层设在绝缘层上，并通过设置在所述绝缘层上的过孔连接到公共电极线。

8.一种显示装置，包括彩膜基板，其特征在于，还包括如权利要求1-7任一所述的阵列基板，所述彩膜基板上设置有黑矩阵和多个亚像素单元，所述阵列基板的公共电极的预设间隔的狭缝与所述黑矩阵所在位置相对应。

9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述阵列基板上的补偿电阻层与所述黑矩阵所在位置相对应。

10.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述的黑矩阵的宽度范围为4-6um。

11.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上沉积导电薄膜层，通过构图工艺形成包括与各亚像素单元区域相对应的像素电极层的图形，公共电极的图形，且所述像素电极层包括多个间隔设置的条状像素电极，所述公共电极位于两相邻亚像素单元区域之间的位置设置有预设间隔的狭缝。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括：在位于两相邻亚像素单元区域之间位置的所述的条状像素电极之间同层形成补偿电阻层的图形。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括：在衬底基板上形成公共电极线的图形和绝缘层的图形，且所述绝缘层形成在所述像素电极层和公共电极之间，所述的补偿电阻层形成在所述绝缘层上，并通过设置在所述绝缘层上的过孔连接到公共电极线。