[发明专利]ESD保护电路在审
| 申请号: | 201310572320.X | 申请日: | 2013-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN103633071A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
| 发明(设计)人: | 吴达军 | 申请(专利权)人: | 四川长虹电器股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60 |
| 代理公司: | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人: | 刘世平 |
| 地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | esd 保护 电路 | ||
1.ESD保护电路,包括电源电压输入端(VD)、接地端(VS)及二极管(D),所述二极管(D)的正极与接地端(VS)相连,其负极与电源电压输入端(VD)相连,其特征在于,还包括绝缘栅双极型晶体管(T),所述绝缘栅双极型晶体管(T)的源极与二极管(D)的正极相接,其栅极与接地端(VS)相连,其漏极与电源电压输入端(VD)相连。
2.如权利要求1所述的ESD保护电路,其特征在于,所述绝缘栅双极型晶体管(T)为N沟道绝缘栅双极型晶体管。
3.如权利要求1所述的ESD保护电路,其特征在于,所述二极管(D)为高压二极管。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的ESD保护电路,其特征在于,所述二极管为至少两个相互并联的二极管。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的ESD保护电路,其特征在于,所述绝缘栅双极型晶体管为至少两个相互并联的绝缘栅双极型晶体管。
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