[发明专利]将CPU/GPU/逻辑芯片嵌入堆叠式封装结构的衬底的方法

权利要求书

1.一种集成电路系统，包括：

第一衬底；

嵌入所述第一衬底内的高功率芯片；

毗邻所述第一衬底的第一侧面布置的第二衬底，其中所述第一衬底和所述第二衬底彼此电通信；以及

布置在所述第二衬底上的低功率芯片。

2.根据权利要求1所述的系统，进一步包括：

嵌入所述第一衬底内的热分布层，其中所述热分布层沿所述高功率芯片的纵向横向地延伸。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述热分布层具有比所述高功率芯片的长度更长的长度。

4.根据权利要求2所述的系统，其中所述热分布层毗邻所述高功率芯片进行定位。

5.根据权利要求2所述的系统，其中所述热分布层附接到所述高功率芯片的至少第一侧面。

6.根据权利要求2所述的系统，其中所述热分布层由包括铜、铝、金、银或两个或更多个电传导元素的合金的电传导材料制成。

7.一种集成电路系统，包括：

第一衬底，包括：

顶绝缘层，其布置在所述第一衬底的顶面上；

底绝缘层，其布置在所述第一衬底的底面上，所述顶绝缘层与所述底绝缘层平行；

高功率芯片，其布置在所述顶绝缘层和所述底绝缘层之间并且与所述顶绝缘层和所述底绝缘层电通信；

模塑材料，其大致填充围绕所述高功率芯片的空间，所述模塑材料布置在所述顶绝缘层和所述底绝缘层之间；

第二衬底，其毗邻所述第一衬底的第一侧面布置，所述第一衬底和所述第二衬底彼此电通信；以及

低功率芯片，其布置在所述第二衬底上。

8.根据权利要求7所述的系统，进一步包括：

顶重新分布特征，其嵌入所述顶绝缘层中；以及

底重新分布特征，其嵌入所述底绝缘层中，

其中所述顶重新分布特征和所述底重新分布特征配置为促进在所述低功率芯片和所述高功率芯片之间的电信号的路由。

9.根据权利要求7所述的系统，其中所述模塑材料进一步包括：

通过所述模塑材料形成的一个或多个热分布特征，其中所述热分布特征分别与所述顶重新分布特征和所述底重新分布特征物理并热接触。

10.根据权利要求9所述的系统，其中所述一个或多个热分布特征由包括铜、铝、金、银或两个或更多个电传导元素的合金的电传导材料制成。