[发明专利]半导体陶瓷化学镀镍镍电极外沿去除的方法无效
| 申请号： | 201310530834.9 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103762049A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 杨敬义;罗霞;孙从锦;周晓蓉 | 申请（专利权）人： | 成都顺康三森电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;H01C17/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 化学 镀镍镍 电极 外沿 去除 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体陶瓷化学镀镍镍电极外沿去除的方法，该方法包括以下步骤：
①钛酸钡基PTC粉体制取：将钛酸钡基原料混合后球磨成浆料，烘干后预烧，预烧后球磨，然后进喷雾塔造粒得钛酸钡基PTC粉体；
②钛酸钡基半导体陶瓷芯片制取：利用旋转压床进行成型工艺，将钛酸钡基PTC粉体压制成陶瓷生坯后放入烧结炉得钛酸钡基半导体陶瓷芯片；
③化学镀镍：钛酸钡基半导体陶瓷芯片经清洗、敏化、活化、镀镍得表面覆盖镍层的电阻芯片；
④化学防蚀刻保护层形成：在丝网印刷机上给覆盖镍层的电阻芯片圆形表面印刷一层抗蚀油墨，待光固化后，翻面对另一圆形表面印刷一层抗蚀油墨；
⑤蚀掉需去掉的镍层：将带化学防蚀刻保护层的覆盖镍层的电阻芯片放入酸液中刻蚀掉需去掉的镍层；
⑥将刻蚀后的电阻芯片用碱液中和后用清水冲洗后烘干得镍电极电阻芯片。
2.根据权利要求1所述的半导体陶瓷化学镀镍镍电极外沿去除的方法，其特征在于：所述酸液为15%盐酸，刻蚀时间为5-10min。
3.根据权利要求1所述的半导体陶瓷化学镀镍镍电极外沿去除的方法，其特征在于：所述碱液为5%的氢氧化钠，中和时间为5-10min。
4.根据权利要求3所述的半导体陶瓷化学镀镍镍电极外沿去除的方法，其特征在于：所述烘干在烘箱中烘干，温度为100℃，时间为20min。
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