[发明专利]有源矩阵有机发光二极管显示器件、显示面板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有源矩阵有机发光二极管显示器件及设有该有源矩阵有机发光二极管显示器件的显示面板及显示装置。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管（Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，缩写为AMOLED）显示器件的制作工艺是影响AMOLED大规模量产的主要瓶颈，目前有希望进行大规模量产的主要工艺包括彩膜内嵌式薄膜晶体管阵列（Color Filter on Array，缩写为COA）工艺，OLED液体打印和蒸镀相结合的复合工艺，以及OLED FMM（Fine Metal Mask）全蒸镀工艺，其中，又以彩膜内嵌式薄膜晶体管阵列工艺同现在LCD的兼容程度最高，工艺难度相对较低，分辨率可以更高而更具大规模量产的潜力；但是彩膜内嵌式薄膜晶体管阵列工艺通常有两种方法实现，第一种需要两块玻璃作为基板，一块用于制备TFT背板并在其上制备白光OLED，另一块上制备彩膜（Color Filter），之后将两块基本进行对位贴合，因而在实现有源矩阵有机发光二极管显示背板时，不仅成本增加，而且往往会由于工艺过程复杂，会造成背板的各种不良问题，如对位偏差，样品Cell Gap不一致等，严重的直接导致背板报废，良品率降低；另外一种方法是将彩膜制备在TFT中，之后在彩膜之上淀积ITO并制备白光OLED；但是该种方法会使得彩膜中的逸出气体（Outgas）进入到TFT器件之中，这样会大大影响TFT背板的生产良率，同样会大幅度减少背板的使用寿命。

因此，针对以上不足，本发明提供了一种有源矩阵有机发光二极管显示器件及设有该有源矩阵有机发光二极管显示器件的显示面板及显示装置。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是解决有源矩阵有机发光二极管显示器件的制作工艺中通常至少需要两块玻璃作为基板，因而在实现有源矩阵有机发光二极管显示背板时，由于工艺过程复杂，会造成背板的各种不良问题，严重的直接导致背板报废，良品率降低的问题。

（二）技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种有源矩阵有机发光二极管显示器件，其包括形成在基板上的薄膜晶体管，在所述薄膜晶体管上依次形成像素电极层、发光层及彩膜层，在所述发光层及彩膜层之间设有用于使所述发光层与空气隔离的第一封装层，在所述彩膜层上覆盖有用于使所述彩膜层与空气隔离的第二封装层。

进一步地，所述薄膜晶体管包括：

形成在所述基板上的栅极；

覆盖在所述栅极上并延伸至所述基板上的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成的并位于所述栅极上方的有源层；

在所述有源层上形成的阻挡层；

在阻挡层上形成的并延伸至所述有源层及栅极绝缘层上的源极及漏极；

在所述源极、漏极、阻挡层及栅极绝缘层上覆盖的钝化层。

进一步地，在所述钝化层上形成所述像素电极层，所述像素电极层与所述源极或漏极连接；在所述像素电极层的边缘覆盖有像素界定层，所述像素界定层延伸至所述钝化层上。

进一步地，在所述像素电极层上形成所述发光层，所述发光层上覆盖有并延伸至所述像素界定层的第一封装层；所述彩膜层形成在所述第一封装层上，所述彩膜层上覆盖有并延伸至所述第一封装层上的第二封装层。

进一步地，所述第一封装层和第二封装层均为无机防水氧膜层，所述无机防水氧膜层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种，厚度为100～5000nm。

进一步地，所述第一封装层和第二封装层均为有机层和无机层交叠的结构，所述无机层为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种，厚度为100～500nm，所述有机层为亚克力或树脂材料，厚度为1000～5000nm；所述有机层和无机层交叠层数为1～5层。

进一步地，所述彩膜层为RGB三色结构或RGBW四色结构。

进一步地，所述彩膜层为块状布置或条状布置。

本发明还提供了一种显示面板，该显示面板包括上述的有源矩阵有机发光二极管显示器件。

本发明还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。

（三）有益效果