[发明专利]半导体器件及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及其制作方法，尤其是涉及一种无使用固晶胶、无衬底基材、无打线工艺和无支架使用的半导体器件及其制作方法。

背景技术

发光二极管（LED，Light Emitting Diode）由于具有寿命长、耗能低等优点，应用于各种领域，尤其随着其照明性能指标日益大幅提升，LED的应用越来越广泛，例如用于光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通信装置及照明装置等。

传统LED器件的制作方法一般是先由上游厂商进行芯片工艺再由下游厂商进行封装工艺, 彼此工艺独立分开进行，具体是将LED芯粒透过透明胶或是银胶固晶于支架中，再经由打线与盖胶方式进行封装步骤。其具体结构如图1所示，主要设有一具凹槽A1的基座A，该凹槽A1内结合有一芯片B，该芯片B再通过一连结线C与另一支架D连结，最后再借助一透光层E的注塑成型，将基座A、芯片B、连结线C及另一支架D结合为一体，完成半导体器件的制作，步骤较为繁杂。

同时，上述传统的半导体器件接通电源时，由于芯片被结合于基座的凹杯中，该芯片周缘及底面所发射的光均被凹杯阻挡、反射，故该芯片仅发出正向光，于该发光二极管的背侧无法看到其所发出的光。

发明内容

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，其直接在芯片工艺端制作封装，可有效提高良率以及降低生产成本。

根据本发明的第一个方面，半导体器件的制作方法，包括步骤：

1）提供一外延片，其具有生长衬底及形成于生长衬底之上的发光外延叠层；

2）在所述发光外延叠层的上表面上制作第一导电层；

3）在所述第一导电层之上包覆第一封装层；

4）移除生长衬底，露出所述发光外延叠层的下表面；

5）在所述发光外延叠层的下表面制作第二导电层；

6）在所述第二导电层上包覆第二封装层；

7）按半导体器件的尺寸，切割形成一系列半导体器件。

根据本发明的第二个方面：半导体器件，包括：

发光外延叠层，具有上、下两个主表面；

第一导电层，形成于所述发光外延叠层的第一表面上；

第一封装层，包覆所述第一导电层；

第二导电层，形成于所述发光外延叠层的第二表面上；

第二封装层，包覆所述第二导电层；

其中，所述第一、第二封装层保护所述半导体器件。

根据本发明的第三个方面，半导体器件，包括：

发光外延叠层，依次具有第一半导体层，有源层和第二半导体层；

至少一导电层，形成于所述发光外延叠层的第二半导体层之上；

至少两个电极结构，分别与所述导电层和第一半导体层连接；

封装层，包覆所述第一导电层及电极结构，但不包覆器件的外围侧壁，用于封装所述发光外延叠层。

根据本发明的第四个方面，半导体器件的制作方法，包括步骤：

1）提供一外延片，其具有生长衬底及形成于生长衬底之上的发光外延叠层，依次具有第一半导体层，有源层和第二半导体层；

2）在所述发光外延叠层的上表面上制作导电层；

3）分别在所述导电层和第一半导体层上制作电极结构；

4）制作封装层，其包覆所述第一导电层及电极结构，用于封装所述发光外延叠层；

5）按半导体器件的尺寸，切割形成一系列半导体器件。

根据本发明的第五个方面，半导体器件的制作方法，包括步骤：

1）提供一外延片，其具有生长衬底及形成于生长衬底之上的发光外延叠层；

2）根据芯片的尺寸在所述外延片表面上定义芯片区域和分离区域，去除分离区域的发光外延叠层露出生长衬底的表面，形成一系列彼此分离的发光外延叠层单元；

3）在所述各个发光外延叠层单元的上表面上制作第一导电层；

4）在所述第一导电层之上包覆第一封装层，并填充所述发光外延叠层单元之间的间隙；

5）移除生长衬底，露出所述发光外延叠层的下表面；

6）在所述发光外延叠层的下表面制作第二导电层；

7）在所述第二导电层之上包覆第二封装层；

8）沿着所述分离区域切割形成一系列半导体器件，所述第一、第二封装层保护所述半导体器件；

其中，所述第一、第二导电层至少其中一层具有透光性。