[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)具有性能优良、大规模生产、特性好、自动化程度高等优点，其应用领域不断拓宽，越来越多的LCD产品涌现到电子产品市场。

现有的液晶显示装置，包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶。其中，阵列基板如图1所示，包括衬底基板1以及设置在衬底基板1上的栅金属层、栅绝缘层5、有源4以及源漏金属层，其中，栅金属层包括栅极21以及公共电极线22，栅绝缘层5上设置有过孔，通过过孔可实现与公共电极线22的电连接，源漏金属层包括源极32和漏极33，有源层4用于使得漏极导通，进而像素电极6充电以实现显示。阵列基板在制作过程栅金属层、有源层、栅绝缘层、源漏金属层、钝化层分别要经过一次沉积、光阻涂布、曝光、显影、刻蚀等工序以形成各自的薄膜，即要经过六次曝光才能形成阵列基板。其构图工艺的次数多、周期长且成本高。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，所述阵列基板上的栅绝缘层和有源层通过一次曝光形成，减少了构图工艺的次数，缩短了生产周期。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成栅金属层、栅绝缘层、有源层以及源漏金属层，其中，所述在衬底基板上形成栅绝缘层、有源层和源漏金属层包括：

在衬底基板上形成栅绝缘薄膜、有源层薄膜以及源漏金属薄膜；

利用一次构图工艺形成的所述栅绝缘层、有源层以及源漏金属层。

可选的，所述阵列基板包括显示像素区、连接区和隔离区，其中，所述显示像素区用于显示图像；连接区设置有过孔，所述过孔用于实现电连接；隔离区用于使得源漏金属层在连接区与像素区绝缘；

所述栅金属层包括栅极、栅线和公共电极线，所述源漏金属层至少包括设置在显示像素区的数据线以及源极和漏极，所述有源层包括有源层图案。

可选的，所述利用一次构图工艺形成所述栅绝缘层、有源层以及源漏金属层具体为：

在制作有栅绝缘薄膜、有源层薄膜以及源漏金属薄膜的基板上，涂布光刻胶；

利用多色调掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光和显影，显影后形成光刻胶第一保留部分、光刻胶第二保留部分以及光刻胶第三保留部分；其中，光刻胶第一保留部分的光刻胶为完全保留，光刻胶第二保留部分和光刻胶第三保留部分的光刻胶为部分保留，且光刻胶第二保留部分的厚度小于光刻胶第一保留部分的光刻胶的厚度，光刻胶第三保留部分的厚度小于光刻胶第二保留部分的厚度；所述光刻胶第一保留部分至少对应源极和漏极区域，所述光刻胶第二保留部分对应待形成的沟道区域；所述光刻胶第三保留部分至少对应像素电极区域；连接区过孔位置处的光刻胶完全去除；

至少刻蚀位于光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜、有源层薄膜以及栅绝缘薄膜的部分；

对所述光刻胶第一保留部分、光刻胶第二保留部分以及光刻胶第三保留部分进行灰化处理，去除光刻胶第三保留部分；

至少刻蚀位于光刻胶第三保留部分的源漏金属薄膜；

对所述光刻胶第一保留部分和光刻胶第二保留部分进行灰化处理，去除光刻胶第二保留部分；

至少刻蚀位于光刻胶第二保留部分的金属薄膜；

将剩下的光刻胶剥离。

可选的，所述光刻胶完全保留部分的厚度小于1.5μm。

可选的，所述光刻胶第二保留部分的厚度是光刻胶第一保留部分的厚度的70%。

可选的，所述光刻胶第三保留部分的厚度是光刻胶第一保留部分的厚度的30%-40%。

可选的，所述光刻胶第一保留部分还对应连接区除过孔之外的区域。

可选的，所述光刻胶第三保留部分还对应隔离区。

可选的，刻蚀位于光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜、有源层薄膜以及栅绝缘薄膜的部分；

所述至少刻蚀位于光刻胶第二保留部分的金属薄膜具体为：刻蚀位于光刻胶第二保留部分的金属薄膜以及有源层薄膜的部分，且同时刻蚀掉光刻胶完全去除区域保留的栅绝缘薄膜。

可选的，刻蚀位于光刻胶完全去除区域的金属薄膜、有源层薄膜以及栅绝缘薄膜的部分具体为：

利用湿法刻蚀，去除位于光刻胶完全去除区域的金属薄膜；

利用干法刻蚀，去除光刻胶完全去除区域的有源层薄膜以及栅绝缘薄膜的部分。