[发明专利]一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管及显示设备

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术，尤其涉及一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管及显示设备。

背景技术

目前，AMOLED（Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管显示面板）是利用设置在电致发光片上下的两片电极产生的电流强度的变化，改变电致发光层的发光效果，从而控制发光来改变显示图像的。一般来讲，一块完整的AMOLED显示面板包括OLED构件和TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）阵列。其中TFT开关包括栅极、源极、漏极和有源层；栅电极连接OLED的金属电极，源极连接数据线，漏极连接OLED像素电极，有源层形成在源极、漏极与栅极之间。

目前的AMOLED TFT中，为提高像素电极充电率，减少响应时间，需要尽量提高有源层的迁移率，例如，在进行TFT制作时，可以使用氮氧化锌等材料作为有源层。

但是，在使用迁移率高的材料作为有源层时，由于过大的迁移率，容易导致漏电流过大和阈值电压向负偏移大，影响TFT性能。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管及显示设备，以解决使用迁移率高的材料作为有源层时，漏电流过大和阈值电压向负偏移大的问题。

本发明实施例提供的一种薄膜晶体管制作方法，包括：

通过有源层材料形成迁移率大于设定阈值的有源层图案；

对有源层图案进行离子注入，其中，所注入的离子形成的化合键的能量大于所述有源层材料中离子形成的化合键的能量。

通过对有源层进行离子注入，增大化合键的能量，减少空位形成的几率及降低载流子浓度，降低有源层表面的迁移率，进而降低漏电流，调节阀值电压向正方向移动，提高薄膜晶体管性能。

进一步，为防止离子注入对有源层图案表面造成影响，所述对有源层图案进行离子注入前，还包括：

在所述有源层图案上形成刻蚀阻挡层图案；

在所述刻蚀阻挡层图案和所述有源层图案上形成源漏极图案。

更进一步，所述对有源层图案进行离子注入前，还包括：

在所述刻蚀阻挡层图案和所述源漏极图案上形成保护层。

较佳的，所述保护层具体为：

SiOx，SiN的组合层。

进一步，所述通过有源层材料形成迁移率大于设定阈值的有源层图案前，还包括：

在基板上形成栅极图案；

在所述栅极图案和基板上形成栅极绝缘层；

此时，所述通过有源层材料形成迁移率大于设定阈值的有源层图案，具体为：

在所述栅极绝缘层上通过迁移率大于设定阈值的有源层材料形成有源层图案。

较佳的，所述有源层材料具体为：

氮氧化锌。

更佳的，所注入的离子具体为：

镓离子或铝离子。

本发明实施例还提供一种薄膜晶体管，包括有源层图案，所述有源层图案的材料的迁移率大于设定阈值，且：

所述有源层图案的表面掺杂有设定离子，所述设定离子形成的化合键的能量大于所述有源层材料中离子形成的化合键的能量。

本发明实施例还提供一种薄膜晶体管，通过本发明实施例提供的薄膜晶体管制作方法制作。

本发明实施例还提供一种显示设备，包括本发明实施例提供的薄膜晶体管。

本发明实施例提供一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管及显示设备，在有源层材料的迁移率大于设定阈值时，为避免有源层迁移率高而导致漏电流大，对有源层进行离子注入，增大有源层表面的离子化合键的能量，从而减少空位形成的几率及降低载流子浓度，降低有源层表面的迁移率，进而降低漏电流，调节阀值电压向正方向移动，提高薄膜晶体管性能。

附图说明

图1为本发明实施例提供的薄膜晶体管制作方法流程图；

图2为本发明实施例提供的较具体的薄膜晶体管制作方法流程图；

图3a为本发明实施例提供的薄膜晶体管制作过程中，形成栅极图案后的薄膜晶体管结构示意图；

图3b为本发明实施例提供的薄膜晶体管制作过程中，形成栅极绝缘层后的薄膜晶体管结构示意图；

图3c为本发明实施例提供的薄膜晶体管制作过程中，形成有源层图案后的薄膜晶体管结构示意图；

图3d为本发明实施例提供的薄膜晶体管制作过程中，形成刻蚀阻挡层图案后的薄膜晶体管结构示意图；

图3e为本发明实施例提供的薄膜晶体管制作过程中，形成源漏极图案后的薄膜晶体管结构示意图；