[发明专利]一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管及显示设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括：

形成迁移率大于设定阈值的有源层图案；

对有源层图案进行离子注入，其中，所注入的离子形成的化合键的能量大于所述有源层材料中离子形成的化合键的能量。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对有源层图案进行离子注入前，还包括：

在所述有源层图案上形成刻蚀阻挡层图案；

在所述刻蚀阻挡层图案和所述有源层图案上形成源漏极图案。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对有源层图案进行离子注入前，还包括：

在所述刻蚀阻挡层图案和所述源漏极图案上形成保护层。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述保护层具体为：

SiOx，SiNx的组合层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过有源层材料形成迁移率大于设定阈值的有源层图案前，还包括：

在基板上形成栅极图案；

在所述栅极图案和基板上形成栅极绝缘层；

所述通过有源层材料形成迁移率大于设定阈值的有源层图案，具体为：

在所述栅极绝缘层上通过迁移率大于设定阈值的有源层材料形成有源层图案。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有源层材料具体为：

氮氧化锌。

7.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所注入的离子具体为：

镓离子或铝离子。

8.一种薄膜晶体管，包括有源层图案，其特征在于，所述有源层图案的材料的迁移率大于设定阈值，且，

所述有源层图案的表面掺杂有设定离子，所述设定离子形成的化合键的能量大于所述有源层材料中离子形成的化合键的能量。

9.一种薄膜晶体管，其特征在于，通过如权利要求1-7任一所述的方法制作。

10.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求8或9所述的薄膜晶体管。