[发明专利]一种电极及其制作方法、阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201310460786.0 申请日: 2013-09-30
公开(公告)号: CN103489902A 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: 姚琪;张锋;曹占锋 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/45 分类号: H01L29/45;H01L21/28;H01L29/786;H01L27/12
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电极 及其 制作方法 阵列 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种电极及其制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

在平板显示技术领域,大尺寸、高分辨率以及高画质的平板显示装置,如液晶电视,在当前的平板显示器市场已经占据了主导地位。

目前,图像信号的延迟成为制约大尺寸、高分辨率及高画质平板显示装置的关键因素之一。降低阵列基板中的各种电极和电极线的电阻对减小图像信号的延迟起有效作用。现有技术通过降低阵列基板中的TFT的源极、漏极、栅极以及栅线、数据线,和阵列基板中的公共电极等的电阻减小图像信号的延迟,提高图像的画质。

一般地,通过电阻较小的铜金属Cu作为所述源极、漏极、栅极以及栅线、数据线和公共电极等,以减小图像信号的延迟,但是存在以下缺点:

Cu在较高温度的条件下(如450℃),Cu离子会扩散并穿过绝缘层,从而会影响TFT的性能。

为了解决上述问题,一般的做法为在Cu金属层的两侧制作Cu阻挡层,Cu阻挡层一般通过钼Mo、钛Ti等金属或合金制作而成。但是,钼Mo、钛Ti等金属或合金的刻蚀难度较大,制作过程对后续工艺产生不利的影响,导致制作TFT阵列基板的制作工艺流程复杂,制作成本较高。

发明内容

本发明实施例提供一种电极及其制作方法、阵列基板及显示装置,用以简化具有隔离作用的电极的制作工艺流程。

为实现上述目的,本发明实施例提供的一种电极包括:

位于基板上的第一金属隔离层;

位于第一金属隔离层上的第一铜金属层;

位于第一铜金属层上的第二金属隔离层。

较佳地,所述第一金属隔离层和第二金属隔离层的材质相同。

较佳地,所述第一金属隔离层和第二金属隔离层为包括钼、锰、钨、钽、银、钛和锡中至少之一的膜层。

较佳地,还包括位于第一金属隔离层和第二金属隔离层之间的第二铜金属层,以及位于第一铜金属层和第二铜金属层之间的铜合金层。

较佳地,所述铜合金层为包括铜以及钼、锰、钨、钽、银、钛和锡中至少一种金属的铜合金层。

本发明实施例提供的一种电极的制作方法,包括:

在基板上形成覆盖所述基板的第一铜合金层;

根据预设电极图形对所述第一铜合金层进行构图工艺,形成按所述图形分布的初始电极;

对形成有所述初始电极的基板进行退火工艺,使初始电极中的非铜金属离子向电极表面扩散,得到表面由所述非铜金属离子扩散后形成的具有第一金属隔离层和第二金属隔离层的电极。

较佳地,在基板上形成第一铜合金层之后,根据预设电极图形对所述第一铜合金层进行构图工艺之前还包括:

在第一铜合金层上形成第二铜合金层;

根据预设电极图形对所述第一铜合金层进行构图工艺的同时还包括根据所述预设电极图形对所述第二铜合金层进行构图工艺,所述初始电极由第一铜合金层和第二铜合金层形成。

较佳地,在基板上形成第一铜合金层之后,根据预设电极图形对所述第一铜合金层进行构图工艺之前还包括:

依次在所述第一铜合金层上形成第三铜合金层和第二铜合金层,第三铜合金层与所述第二铜合金层和第一铜合金层的材料不同;

根据预设电极图形对所述第一铜合金层进行构图工艺的同时还包括根据所述预设电极图形对第二铜合金层和第三铜合金层进行构图工艺,所述初始电极由第一铜合金层、第二铜合金层和第三铜合金层形成。

较佳地,在基板上形成第一铜合金层之后,根据预设电极图形对所述第一铜合金层进行构图工艺之前还包括:

依次在所述第一铜合金层上形成铜金属层和第二铜合金层;

根据预设电极图形对所述第一铜合金层进行构图工艺的同时还包括根据所述预设电极图形对第二铜合金层和铜金属层进行构图工艺,所述初始电极由第一铜合金层、铜金属层和第二铜合金层形成。

较佳地,所述第一铜合金层和第二铜合金层的材料相同。

较佳地,对形成有所述电极图形的基板进行退火工艺具体为:

在惰性气体环境中,退火温度范围为250~600℃,且退火时间为20~120分钟的条件下对形成有所述电极图形的基板进行退火。

较佳地,采用热蒸镀工艺,在氧气等离子体环境中依次蒸镀第一铜合金层、第三铜合金层和第二铜合金层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310460786.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top