[发明专利]一种电极及其制作方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种电极，其特征在于，包括：

位于基板上的第一金属隔离层；

位于第一金属隔离层上的第一铜金属层；

位于第一铜金属层上的第二金属隔离层。

2.根据权利要求1所述的电极，其特征在于，所述第一金属隔离层和第二金属隔离层的材质相同。

3.根据权利要求2所述的电极，其特征在于，所述第一金属隔离层和第二金属隔离层为包括钼、锰、钨、钽、银、钛和锡中至少之一的膜层。

4.根据权利要求1-3任一所述的电极，其特征在于，还包括位于第一金属隔离层和第二金属隔离层之间的第二铜金属层，以及位于第一铜金属层和第二铜金属层之间的铜合金层。

5.根据权利要求4所述的电极，其特征在于，所述铜合金层为包括铜以及钼、锰、钨、钽、银、钛和锡中至少一种金属的铜合金层。

6.一种电极的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成覆盖所述基板的第一铜合金层；

根据预设电极图形对所述第一铜合金层进行构图工艺，形成按所述图形分布的初始电极；

对形成有所述初始电极的基板进行退火工艺，使初始电极中的非铜金属离子向电极表面扩散，得到表面由所述非铜金属离子扩散后形成的具有第一金属隔离层和第二金属隔离层的电极。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在基板上形成第一铜合金层之后，根据预设电极图形对所述第一铜合金层进行构图工艺之前还包括：

在第一铜合金层上形成第二铜合金层；

根据预设电极图形对所述第一铜合金层进行构图工艺的同时还包括根据所述预设电极图形对所述第二铜合金层进行构图工艺，所述初始电极由第一铜合金层和第二铜合金层形成。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在基板上形成第一铜合金层之后，根据预设电极图形对所述第一铜合金层进行构图工艺之前还包括：

依次在所述第一铜合金层上形成第三铜合金层和第二铜合金层，第三铜合金层与所述第二铜合金层和第一铜合金层的材料不同；

根据预设电极图形对所述第一铜合金层进行构图工艺的同时还包括根据所述预设电极图形对第二铜合金层和第三铜合金层进行构图工艺，所述初始电极由第一铜合金层、第二铜合金层和第三铜合金层形成。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在基板上形成第一铜合金层之后，根据预设电极图形对所述第一铜合金层进行构图工艺之前还包括：

依次在所述第一铜合金层上形成铜金属层和第二铜合金层；

根据预设电极图形对所述第一铜合金层进行构图工艺的同时还包括根据所述预设电极图形对第二铜合金层和铜金属层进行构图工艺，所述初始电极由第一铜合金层、铜金属层和第二铜合金层形成。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述第一铜合金层和第二铜合金层的材料相同。

11.根据权利要求6-9任一权项所述的方法，其特征在于，对形成有所述电极图形的基板进行退火工艺具体为：

在惰性气体环境中，退火温度范围为250～600℃，且退火时间为20～120分钟的条件下对形成有所述电极图形的基板进行退火。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，采用热蒸镀工艺，在氧气等离子体环境中依次蒸镀第一铜合金层、第三铜合金层和第二铜合金层。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，采用热蒸镀工艺，在氧气等离子体环境中依次蒸镀第一铜合金层、第三铜合金层和第二铜合金层，具体为：采用热蒸镀工艺，在氧气等离子体环境中蒸镀覆盖所述基板的铜钼合金、铜锰合金、铜钨合金、铜铊合金、铜银合金、铜钛合金或铜锡合金的膜层，作为第一铜合金层；

采用热蒸镀工艺，在氧气等离子体环境中蒸镀覆盖所述基板的铜钼合金、铜锰合金、铜钨合金、铜铊合金、铜银合金、铜钛合金或铜锡合金的膜层，作为第三铜合金层；

采用热蒸镀工艺，在氧气等离子体环境中蒸镀覆盖所述基板的铜钼合金、铜锰合金、铜钨合金、铜铊合金、铜银合金、铜钛合金或铜锡合金的膜层，作为第二铜合金层。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一铜合金层、第三铜合金层或第二铜合金层中的铜与合金中的另一种金属的原子百分比为0.1%～30%。