[发明专利]荧光粘接片、光半导体元件-荧光体层压敏粘接体和光半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及荧光粘接片、光半导体元件-荧光体层压敏粘接体和光半导体装置。

背景技术

发光二极管装置（以下简称为LED装置。）、激光二极管照射装置（以下简称为LD照射装置。）等光半导体装置例如具备：发光二极管元件（LED）、激光二极管（LD）等光半导体元件和被配置在光半导体元件上的荧光体层。所述光半导体装置是通过从光半导体元件发光并透过了例如荧光体层的蓝色光与在荧光体层中部分蓝色光进行波长转换而得到的黄色光的混色而发出白色光。

作为这样的光半导体装置，提出有具备用透明封装材料将LED封装而成的LED封装体和层叠于其上表面的荧光胶带的LED装置的方案（例如参照美国专利第7294861号说明书。）。

美国专利第7294861号说明书的荧光胶带具备荧光层和层叠在其背面的由（甲基）丙烯酸酯系压敏粘接剂形成的丙烯酸系压敏粘接层，荧光层介由丙烯酸系压敏粘接层粘贴于LED封装体的表面。

发明内容

然而，荧光胶带伴随着LED发光容易变高温，美国专利第7294861号说明书的荧光胶带存在高温（例如包含75℃的高温）的粘接力与常温（25℃）的粘接力相比显著降低这样的不良情况。

进而，在高温下长时间使用美国专利第7294861号说明书的荧光胶带时，也存在发生劣化而LED装置的亮度降低这样的不良情况。

本发明的目的在于提供耐热性和耐久性优异的荧光粘接片、光半导体元件-荧光体层压敏粘接体和光半导体装置。

本发明的荧光粘接片的特征在于，其具备：含有荧光体的荧光体层和层叠于前述荧光体层的厚度方向单面的粘接剂层；前述粘接剂层由有机硅压敏粘接剂组合物形成，所述荧光粘接片的下述剥离强度的百分率为30%以上。

剥离强度的百分率=[75℃气氛下的剥离强度PS_75℃/25℃气氛下的剥离强度PS_25℃]×100

75℃气氛下的剥离强度PS_75℃：将层叠于支撑体的所述粘接剂层压敏粘接于所述荧光体层，其后，在温度75℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和粘接剂层从所述荧光体层剥离时的剥离强度。

25℃气氛下的剥离强度PS_25℃：将层叠于支撑体的所述粘接剂层压敏粘接于所述荧光体层，其后，在温度25℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和粘接剂层从所述荧光体层剥离时的剥离强度。

另外，本发明的荧光粘接片的前述剥离强度的百分率为200%以下是适宜的。

另外，本发明的荧光粘接片的前述荧光体层由前述荧光体的陶瓷形成是适宜的。

另外，本发明的荧光粘接片的前述荧光体层由含有前述荧光体和树脂的荧光体树脂组合物形成是适宜的。

另外，本发明的光半导体元件-荧光体层压敏粘接体的特征在于，其具备光半导体元件和压敏粘接于前述光半导体元件的厚度方向单面的荧光粘接片；前述荧光粘接片具备含有荧光体的荧光体层和层叠于前述荧光体层的厚度方向单面的粘接剂层；前述粘接剂层由有机硅压敏粘接剂组合物形成；所述荧光粘接片的下述剥离强度的百分率为30%以上。

剥离强度的百分率=[75℃气氛下的剥离强度PS_75℃/25℃气氛下的剥离强度PS_25℃]×100

75℃气氛下的剥离强度PS_75℃：将层叠于支撑体的所述粘接剂层压敏粘接于所述荧光体层，其后，在温度75℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和粘接剂层从所述荧光体层剥离时的剥离强度。

25℃气氛下的剥离强度PS_25℃：将层叠于支撑体的所述粘接剂层压敏粘接于所述荧光体层，其后，在温度25℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和粘接剂层从所述荧光体层剥离时的剥离强度。

另外，本发明的光半导体装置的特征在于，其具备：基板、安装于前述基板上的光半导体元件、和压敏粘接于前述光半导体元件的厚度方向单面的荧光粘接片，前述荧光粘接片具备：含有荧光体的荧光体层和层叠于前述荧光体层的厚度方向单面的粘接剂层；前述粘接剂层由有机硅压敏粘接剂组合物形成，所述荧光粘接片的下述剥离强度的百分率为30%以上。

剥离强度的百分率=[75℃气氛下的剥离强度PS_75℃/25℃气氛下的剥离强度PS_25℃]×100