[发明专利]荧光粘接片、光半导体元件-荧光体层压敏粘接体和光半导体装置

权利要求书

1.一种荧光粘接片，其特征在于，其具备：

含有荧光体的荧光体层，和

层叠于所述荧光体层的厚度方向单面的粘接剂层；

所述粘接剂层由有机硅压敏粘接剂组合物形成，

所述荧光粘接片的下述剥离强度的百分率为30%以上；

剥离强度的百分率=[75℃气氛下的剥离强度PS_75℃/25℃气氛下的剥离强度PS_25℃]×100

75℃气氛下的剥离强度PS_75℃：将层叠于支撑体的所述粘接剂层压敏粘接于所述荧光体层，其后，在温度75℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和粘接剂层从所述荧光体层剥离时的剥离强度；

25℃气氛下的剥离强度PS_25℃：将层叠于支撑体的所述粘接剂层压敏粘接于所述荧光体层，其后，在温度25℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和粘接剂层从所述荧光体层剥离时的剥离强度。

2.根据权利要求1所述的荧光粘接片，其特征在于，所述剥离强度的百分率为200%以下。

3.根据权利要求1所述的荧光粘接片，其特征在于，所述荧光体层由所述荧光体的陶瓷形成。

4.根据权利要求1所述的荧光粘接片，其特征在于，所述荧光体层由含有所述荧光体和树脂的荧光体树脂组合物形成。

5.一种光半导体元件-荧光体层压敏粘接体，其特征在于，其具备光半导体元件和压敏粘接于所述光半导体元件的厚度方向单面的荧光粘接片；

所述荧光粘接片具备：

含有荧光体的荧光体层，和

层叠于所述荧光体层的厚度方向单面的粘接剂层；

所述粘接剂层由有机硅压敏粘接剂组合物形成，

所述荧光粘接片的下述剥离强度的百分率为30%以上；

剥离强度的百分率=[75℃气氛下的剥离强度PS_75℃/25℃气氛下的剥离强度PS_25℃]×100

75℃气氛下的剥离强度PS_75℃：将层叠于支撑体的所述粘接剂层压敏粘接于所述荧光体层，其后，在温度75℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和粘接剂层从所述荧光体层剥离时的剥离强度；

25℃气氛下的剥离强度PS_25℃：将层叠于支撑体的所述粘接剂层压敏粘接于所述荧光体层，其后，在温度25℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和粘接剂层从所述荧光体层剥离时的剥离强度。

6.一种光半导体装置，其特征在于，其具备：

基板，

安装于所述基板上的光半导体元件，和

压敏粘接于所述光半导体元件的厚度方向单面的荧光粘接片；

所述荧光粘接片具备：

含有荧光体的荧光体层，和

层叠于所述荧光体层的厚度方向单面的粘接剂层；

所述粘接剂层由有机硅压敏粘接剂组合物形成，

所述荧光粘接片的下述剥离强度的百分率为30%以上；

剥离强度的百分率=[75℃气氛下的剥离强度PS_75℃/25℃气氛下的剥离强度PS_25℃]×100

75℃气氛下的剥离强度PS_75℃：将层叠于支撑体的所述粘接剂层压敏粘接于所述荧光体层，其后，在温度75℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和粘接剂层从所述荧光体层剥离时的剥离强度；

25℃气氛下的剥离强度PS_25℃：将层叠于支撑体的所述粘接剂层压敏粘接于所述荧光体层，其后，在温度25℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和粘接剂层从所述荧光体层剥离时的剥离强度。

7.一种光半导体装置，其特征在于，其具备光半导体封装体和荧光粘接片，

所述光半导体封装体具备：基板，安装于所述基板上的光半导体元件，形成于所述基板的厚度方向单侧的、配置成在所述厚度方向投影时包围所述光半导体元件的反射器，和充填在所述反射器内的、用于封装所述光半导体元件的封装层，

所述荧光粘接片压敏粘接于所述光半导体封装体的所述厚度方向单面；

所述荧光粘接片具备：

含有荧光体的荧光体层，和

层叠于所述荧光体层的厚度方向单面的粘接剂层；

所述粘接剂层由有机硅压敏粘接剂组合物形成，

所述荧光粘接片的下述剥离强度的百分率为30%以上；

剥离强度的百分率=[75℃气氛下的剥离强度PS_75℃/25℃气氛下的剥离强度PS_25℃]×100

75℃气氛下的剥离强度PS_75℃：将层叠于支撑体的所述粘接剂层压敏粘接于所述荧光体层，其后，在温度75℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和粘接剂层从所述荧光体层剥离时的剥离强度；

25℃气氛下的剥离强度PS_25℃：将层叠于支撑体的所述粘接剂层压敏粘接于所述荧光体层，其后，在温度25℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和粘接剂层从所述荧光体层剥离时的剥离强度。