[发明专利]一种GPP芯片的预焊治具及其使用方法有效
申请号: | 201310414845.0 | 申请日: | 2013-09-12 |
公开(公告)号: | CN103474377A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 陈晓华;王毅 | 申请(专利权)人: | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/673 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 周全 |
地址: | 225008 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 gpp 芯片 预焊治具 及其 使用方法 | ||
技术领域
本发明涉及GPP芯片的焊接工艺,尤其涉及GPP芯片的预焊治具及其使用方法的改进。
背景技术
随着半导体行业的迅速发展,客户对二极管的各项性能提出了更高的要求,比如正向过电流能力、二极管自身的散热性能等,所以能够开发出一种不改变产品封装且散热好、结温低、可靠性更好的半导体二极管,是提高产品竞争优势和企业获取更多优质客户合作的关键所在。Glass Passivated Pellet简称GPP,GPP芯片即为玻璃钝化芯片,由于其特殊的结构使其可有效的实现上述要求。在GPP芯片加工时,通常需在P面上焊接一小铜粒,并在N面上焊接一大铜粒。其传统的加工工艺中,通常由人工通过镊子将各部件依次夹入预焊模上的阶梯状容置槽中,具体为:1)、夹入小铜粒预焊模;2)、夹入焊片;3)、夹入芯片,并使其统一为P面朝下;4)、再夹入一焊片;5)、夹入大铜粒;待所有大铜粒摆放完毕后,合上预焊模盖子,并送入炉内进行焊接。
然而,上述的预焊工艺中存在着以下缺陷:一、在上述的步骤3)中人工用镊子操作时的芯片统一P面朝下是十分不便的、且费时费力;二、镊子对芯片的夹持也极易对芯片造成损伤,带来废品率的增加;三、人工操作工作效率低下、且加工效果差。
发明内容
本发明针对以上问题,提供了一种结构精巧、操作方式简便、工作效率高且对芯片无损伤,在芯片装入时可实现芯片统一分向的GPP芯片的预焊治具及其使用方法。
本发明的技术方案是:所述GPP芯片依次包括小铜粒、小焊片、芯片、大焊片和大铜粒,所述芯片的N面的直径大于P面的直径、且芯片的P面设有玻璃钝化层;所述预焊治具包括预焊模、预焊模盖、小铜粒筛盘、芯片筛盘、大铜粒筛盘和负压源;
所述预焊模的顶面上开设有若干与所述芯片适配的芯片焊槽和若干定位孔,所述芯片槽的槽底开设有与所述小铜粒适配的小铜粒焊槽;
所述小铜粒筛盘的顶面上开设有若干与小铜粒适配的小铜粒容置槽和若干定位销一,所述定位销一与所述定位孔适配且位置对应,若干所述小铜粒容置槽与所述小铜粒焊槽的位置对应、且若干小铜粒容置槽的槽底连通所述负压源;
所述芯片筛盘的顶面上开设有若干与所述芯片适配的芯片容置槽和若干定位销二,所述定位销二与所述定位孔适配且位置对应,若干所述芯片容置槽与所述芯片焊槽的位置对应、且若干芯片容置槽的槽底连通所述负压源;
所述大铜粒筛盘的顶面上开设有若干与所述大铜粒适配的大铜粒容置槽和若干定位销三,所述定位销三与所述定位孔适配且位置对应,若干所述大铜粒容置槽与所述芯片焊槽的位置对应、且若干大铜粒容置槽的槽底连通所述负压源。
所述芯片容置槽呈阶梯状分为上槽和下槽,所述上槽的内径大于所述下槽的内径,所述下槽与所述芯片的N面适配、且下槽的槽底开设有用于连通负压源的负压气道。
若干所述小铜粒焊槽的槽底开设有气道一,所述预焊模盖上开设有若干与所述气道一位置对应的气道二和若干定位销四,所述定位销四与所述定位孔适配且位置对应。
一种GPP芯片的预焊治具的使用方法,按以下步骤进行操作:
1)、筛小铜粒:将若干小铜粒倒入小铜粒筛盘上,开启负压源,并左右往复晃动小铜粒筛盘1-5min;再斜置小铜粒筛盘;
2)、小铜粒装入:保持负压源开启,并将若干定位销一对接入若干定位孔中;再关闭负压源,并拔出小铜粒筛盘;
3)、筛小焊片:将若干小焊片倒入小铜粒筛盘上,开启负压源,并左右往复晃动小铜粒筛盘1-5min;再斜置小铜粒筛盘;
4)、小焊片装入:保持负压源开启,并将若干定位销一对接入若干定位孔中;再关闭负压源,并拔出小铜粒筛盘;
5)、筛芯片:将若干芯片倒入芯片筛盘上,开启负压源,并左右往复晃动芯片筛盘1-5min;再斜置芯片筛盘;
6)、芯片装入:保持负压源开启,并将若干定位销二对接入若干定位孔中;再关闭负压源,并拔出芯片筛盘;
7)、筛大焊片:将若干大焊片倒入大铜粒筛盘上,开启负压源,并左右往复晃动大铜粒筛盘1-5min;再斜置大铜粒筛盘;
8)、大焊片装入:保持负压源开启,并将若干定位销三对接入若干定位孔中;再关闭负压源,并拔出大铜粒筛盘;
9)、筛大铜粒:将若干大铜粒倒入大铜粒筛盘上,开启负压源,并左右往复晃动大铜粒筛盘1-5min;再斜置大铜粒筛盘;
10)、大铜粒装入:保持负压源开启,并将若干定位销三对接入若干定位孔中;再关闭负压源,并拔出大铜粒筛盘;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造