[发明专利]一种长波铟砷锑材料及其生长方法

权利要求书

1.一种长波铟砷锑材料，按以下化学式组成：InAs_1-xSb_x，其特征在于组份x满足以下条件：0.60≤x≤0.90，外延层的厚度为40～200μm。

2.一种制备上述长波铟砷锑材料的专用滑动舟，包括底板、滑块、推杆、原料井、空井、井盖、衬底槽，其特征在于原料井、空井设置在滑块前部，原料井、空井为贯通的中空结构，滑块的尾部为平底的压块，原料井、空井上设置井盖，滑块后端连接推杆，滑块放置在底板上并可以在底板上移动，底板上设置有衬底槽，滑块尾部的压块与底板接触部分大于衬底槽横截面。

3.一种长波铟砷锑材料的生长方法，主要包括以下步骤：

一、生长准备，把滑块放置在底板上，打开原料井的井盖，然后将InAs_1-xSb_x的原料放入原料井中，将衬底(基板)放入底板上的衬底槽内，把空井放置在衬底槽的上方；

二、原料溶化，将滑动舟放入液相外延系统，在680℃下停留1小时，使InAs_1-xSb_x的原料溶化成生长熔液，然后，使系统的温度以1℃／分钟的降温速率下降至生长温度510℃；

三、充填，通过推杆推动滑块，使原料井位于衬底槽上方，使InAs_1-xSb_x的生长熔液与衬底接触，再通过推杆推动滑块，使原料井中的InAs_1-xSb_x生长熔液残留部分在衬底的表面，并使原料井与衬底槽错开，滑块尾部的压块完全盖住衬底槽；

四、熔体外延生长，以0.5℃／分钟的降温速率降温10℃，使衬底上残留的InAs_1-xSb_x生长熔液在滑块尾部的压块下降温结晶，即可生长出长波铟砷锑材料。

4.根据权利要求3所述一种长波铟砷锑材料的生长方法，其特征在于所述衬底材料为砷化铟(InAs)、砷化镓(GaAs)、锑化镓(GaSb)、磷化铟(InP)中的一种。

5.一种长波铟砷锑材料的后处理过程，其特征在于生长后的铟砷锑样品通过使用三氧化二铝(Al₂O₃)粉末研磨、抛光，即可获得具有镜面光滑、平整的表面的长波铟砷锑材料。