[发明专利]一种无腐蚀性的半导体化学机械研磨剂

说明书

技术领域

本发明涉及一种无腐蚀性的半导体化学机械研磨剂。

背景技术

近年来，伴随着半导体集成电路(以下记作LSI)的高集成化，高性能化，开发了新型的细微加工技术，化学研磨法就是其中一种，特别是在多层布线形成工序中的层间绝缘膜的平坦化，金属栓塞形成、埋入布线形成中频繁地应用。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种无腐蚀性的半导体化学机械研磨剂。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种无腐蚀性的半导体化学机械研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：表面活性剂1-3份，有机添加剂2-5份，调节剂1-3份，水性介质50-55份，纳米石墨粉1-2份，高岭土1-3份，季戊四醇1-5份，氰尿酸三聚氰胺盐2-3份，蒙脱土1-3份，硬脂酸2-3份，硬脂酸盐3-4份，硬脂酸钙1-3份，硬脂酸4-10份，聚丙烯酯5-9份。

本发明的有益效果是：腐蚀速度低，研磨效果好，对半导体损伤小。

具体实施方式

实施例1

一种无腐蚀性的半导体化学机械研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：表面活性剂1-3份，有机添加剂2-5份，调节剂1-3份，水性介质50-55份，纳米石墨粉1-2份，高岭土1-3份，季戊四醇1-5份，氰尿酸三聚氰胺盐2-3份，蒙脱土1-3份，硬脂酸2-3份，硬脂酸盐3-4份，硬脂酸钙1-3份，硬脂酸4-10份，聚丙烯酯5-9份。