[发明专利]连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物及其制备、用途

权利要求书

1.一种连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物，其特征在于，所述半导体聚合物的结构式如式(I)所示：

其中50>n>1。

2.一种如权利要求1所述的连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，所述半导体聚合物的制备方法包含如下步骤：

步骤一，以吡啶为催化剂、以无水乙醇为溶剂，6-溴羟吲哚与二醛基连二噻吩反应生成化合物2；

步骤二，以无水碳酸钾为催化剂、以N，N-二甲基甲酰胺为溶剂，化合物2与1-碘-2-辛基十二烷反应生成化合物M2TM；

步骤三，以Pd(dba)₃为催化剂、以P(o-tol)₃为配体、以无水甲苯为溶剂，化合物M2TM与苯并二噻吩反应生成所述半导体聚合物。

3.根据权利要求2所述的连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述6-溴羟吲哚与二醛基连二噻吩的摩尔比为2：1，反应时间为12～36小时，反应温度为50～80℃。

4.根据权利要求2所述的连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述化合物2与1-碘-2-辛基十二烷的摩尔比为1：2～1：4，反应温度为90～130℃。

5.根据权利要求2所述的连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，步骤三中，所述化合物M2TM与苯并二噻吩的摩尔比为1：1，反应时间为2～8小时，反应温度为60～100℃。

6.一种如权利要求1所述的连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物作为空穴传输材料在聚合物薄膜太阳能电池中的用途。

7.根据权利要求6所述的用途，其特征在于，所述连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物与PC₆₁BM共混作为半导体有机层。