[发明专利]绝缘膜以及绝缘膜的制备方法

说明书

相关申请的引用

本申请根据35U.S.C.第119章要求于2012年8月30日提交的题为“绝缘膜以及绝缘膜的制备方法(Insulating Film and Producing Method for Insulating Film)”的韩国专利申请序列号10-2012-0095652的权益，通过引用将其全部内容结合在本申请中。

技术领域

本发明涉及一种绝缘膜以及绝缘膜的制备方法，更具体地，涉及一种用于在PCB(印刷电路板)等上形成绝缘部分的绝缘膜，以及该绝缘膜的制备方法。

背景技术

通常，通过将诸如二氧化硅的填料添加到诸如环氧树脂的绝缘树脂中制备绝缘膜。

此处，填料(如二氧化硅)的含量小于绝缘树脂的含量的一半。

图1为一示图，其示出了根据相关技术的典型绝缘膜。

如示出的，根据相关技术制备典型的绝缘膜，使得聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜层200和双向拉伸聚丙烯(Biaxially-Oriented Polypropylene，BOPP)膜层300形成在由绝缘树脂和二氧化硅形成的绝缘层10的两个表面上。

图2为一示图，其示出了具有利用根据相关技术的绝缘膜在一个表面或者任一表面上形成的绝缘部分的基板(基底，substrate)400。

参照图2，绝缘部分形成在基板400的表面上，且绝缘膜仅由绝缘层10形成。

此处，在将绝缘层10施加到基板400的表面上的过程中，通常使用辊(roll)。

在这方面，细小的外来物质可能粘附在辊的表面上，并且这种外来物质在将绝缘层10压制在基板400上的过程中可能在绝缘层10的表面上产生凹陷(dent)。

该凹陷可能在通过进行镀覆法在绝缘层的表面上形成电路图案的过程中引起线路故障，从而降低产率。

发明内容

本发明的目的是提供一种具有增强层(加固层，reinforcing layer)的绝缘膜，以解决由凹陷引起的问题。

本发明的另一个目的是提供一种具有增强层的绝缘膜的制备方法，以解决由凹陷引起的问题。

根据本发明的示例性实施方式，提供了一种绝缘膜，包括：形成在一个表面上的增强层，其中，增强层的二氧化硅的重量比为60wt％至80wt％。

根据本发明的另一个示例性实施方式，提供了一种绝缘膜，包括：包含绝缘树脂和二氧化硅的绝缘层，其中，二氧化硅的重量比为50wt％以下；以及增强层，该增强层的一个表面与绝缘层的一个表面接触并且包含绝缘树脂和二氧化硅，其中，二氧化硅的重量比为60wt％至80wt％。

绝缘膜可以进一步包括：PET膜层，提供在增强层的另一个表面上；以及BOPP膜层，提供在绝缘层的另一个表面上。

增强层的厚度可以为2至4μm。

绝缘树脂可以是环氧树脂。

根据本发明的示例性实施方式，提供了一种绝缘膜的制备方法，包括：制备第一绝缘材料和第二绝缘材料，其中，第一绝缘材料包含环氧树脂、二氧化硅和溶剂，二氧化硅的含量小于环氧树脂的含量，并且其中，第二绝缘材料包含环氧树脂、二氧化硅和溶剂，二氧化硅的含量是环氧树脂的含量的1.5倍至4.0倍；施加该第一绝缘材料和第二绝缘材料，使得该第二绝缘材料与PET膜的上表面接触，并且该第一绝缘材料与第二绝缘材料的上表面接触；固化该第一绝缘材料和第二绝缘材料以形成包括该第一绝缘材料的增强层和包括该第二绝缘材料的绝缘层；以及将BOPP膜附着到绝缘层的上表面。

增强层的厚度为2至4μm。

附图说明

图1为一示图，其示出了根据相关技术的典型绝缘膜；

图2为一示图，其示出了具有利用根据相关技术的绝缘膜形成在两个表面上的绝缘部分的基板；

图3为一简化图，其示出了根据本发明的示例性实施方式的绝缘膜的结构；

图4为一简化图，其示出了根据本发明的另一个示例性实施方式的绝缘膜的结构；

图5为一示图，其示出了具有利用根据本发明的示例性实施方式的绝缘膜形成在两个表面上的绝缘部分的基板；

图6为一流程图，其示意性地示出了根据本发明的示例性实施方式的绝缘膜的制备方法；

图7A是利用扫描电子显微镜拍摄的照片，其示出了具有55wt％的二氧化硅含量的增强层的绝缘膜附着在其上的基板的表面；

图7B是利用扫描电子显微镜拍摄的照片，其示出了具有55wt％的二氧化硅含量的增强层的绝缘膜附着在其上并且在其上进行表面抛光的基板的表面；