[发明专利]光致抗蚀剂剥离液组合物

说明书

本发明涉及一种可以替代以往常用的对人体有害的NMP等溶剂类，并包含剥离能力优秀的N,N‑二甲基丙酰胺的光致抗蚀剂剥离液组合物。

技术领域

本发明涉及一种使用环状胺类、极性溶剂类及非极性溶剂类的双组分以上的光致抗蚀剂剥离液组合物。

背景技术

光致抗蚀剂（photo-resist）是照相平版印刷工艺中不可缺少的材料，而照相平版印刷工艺是用于制造集成电路（Integrated circuit,IC）、大规模集成电路（large scaleintegration,LSI）、超大规模集成电路（very large scale integration,VLSI）等半导体装置和液晶显示器（Liquid crystal display,LCD）、等离子体显示器（plasma displaydevice,PDP）等图像显示装置的常用工艺之一。

照相平板印刷工艺(photo-lithography processing)结束之后，光致抗蚀剂在高温下被剥离溶液去除，在此过程中光致抗蚀剂被去除的同时，下层金属膜会被剥离溶液腐蚀。因此，需要一种具有出色的光致抗蚀剂去除效果，并且可将金属膜的腐蚀降到最低的方法。

现有的一般光致抗蚀剂剥离液组合物以胺、溶剂类为基础，或者进一步加入防腐剂等添加剂。

例如，现有的光致抗蚀剂剥离液组合物包含单乙醇胺等链状胺、NMP、DMSO等非质子溶剂及/或乙二醇类质子溶剂。

即，现有的光致抗蚀剂剥离液组合物作为主溶剂使用NMF（N-methylformamide）、NMP（N-methylpyrrolidone）等非质子溶剂，这种溶剂虽然具有剥离能力出色的优点，但是也具有对环境或者人体有害的缺点。而且，若使用以往的非质子极性溶剂，虽能使光致抗蚀剂（PR）易于溶解，但是存在水洗时PR重新析出的问题。

因此，需要开发出一种溶剂来替代存在诸多问题的所述非质子极性溶剂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可替代以往的非质子溶剂类，从而降低对环境和人体的危害，且剥离及清洗能力出色、防腐能力也优秀的光致抗蚀剂剥离液组合物。

本发明提供一种光致抗蚀剂剥离液组合物，包含：10至85重量%的N,N-二甲基丙酰胺（N,N-Dimethyl Propionamide）、1至30重量%的环状胺类、10至85重量%的质子极性溶剂、及0至50重量%的超纯水。

而且，优选地，本发明的光致抗蚀剂剥离液组合物，包含：10至65重量%的N,N-二甲基丙酰胺、1至15重量%的环状胺类、10至68重量%的质子极性溶剂、及20至40重量%的超纯水。

下面，详细说明本发明。

本发明涉及一种光致抗蚀剂剥离液组合物，具体地涉及一种使用胺类、极性溶剂类及非极性溶剂类的双组分以上的光致抗蚀剂剥离液组合物。

尤其，本发明提供一种作为可替代以往的NMF、NMP等的溶剂，使用N,N-二甲基丙酰胺的光致抗蚀剂剥离液组合物。本发明即使不用以往的NMP等非质子溶剂，也可提供剥离效果出色的剥离液组合物。而且，本发明的优点在于提供一种可降低对环境和人体的危害，并且清洗能力优秀在清洗工艺中不会出现PR析出问题，也不会发生金属腐蚀的光致抗蚀剂剥离液组合物。

因此，在本发明中可用N,N-二甲基丙酰胺来替代所述溶剂类。

根据本发明的一具体实施例，提供一种光致抗蚀剂剥离液组合物，包含：10至85重量%的N,N-二甲基丙酰胺、1至30重量%的环状胺类、10至85重量%的质子极性溶剂、及0至50重量%的超纯水。