[发明专利]晶体管、其制造方法、半导体装置的制造方法和显示装置的制造方法

说明书

相关申请的交叉参考

本发明包含于2012年9月11日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP2012-199098相关的主题，在此将该日本专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本技术涉及一种具有有机半导体膜和有机绝缘膜的晶体管、晶体管的制造方法、半导体装置的制造方法和显示装置的制造方法。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)包括基板和在基板上的栅电极、栅绝缘膜、半导体膜和源/漏电极，其用作显示装置等多种电子设备的驱动元件。虽然TFT的半导体膜由无机材料或有机材料构成，但是近年来发现由有机材料构成的半导体膜(有机半导体膜)在成本和柔韧性方面更有前景(例如，参照日本未审查专利申请公开No.2011-77470和No.2011-187626)。

发明内容

希望使用上述有机半导体膜的TFT减少制造缺陷，从而提高成品率。

希望提供一种能够以高成品率制造的晶体管、晶体管的制造方法、半导体装置的制造方法和显示装置的制造方法。

根据本技术的实施方案，提供了一种晶体管，包括：栅电极；栅绝缘膜；经由其间的栅绝缘膜与所述栅电极相对的有机半导体膜；以及与所述有机半导体膜的一面接触并且比所述有机半导体膜更宽地延伸的有机绝缘膜。

根据本技术的实施方案，提供了一种制造晶体管的方法，包括：形成栅电极；形成有机绝缘膜和有机半导体膜的层叠膜，所述层叠膜经由其间的栅绝缘膜与所述栅电极相对；以及使所述有机半导体膜图案化。

根据本技术的实施方案，提供了一种制造半导体装置的方法，包括：在基板上形成多个晶体管，其中所述各晶体管的形成包括形成栅电极，形成有机绝缘膜和有机半导体膜的层叠膜，所述层叠膜经由其间的栅绝缘膜与所述栅电极相对，以及使所述有机半导体膜图案化。

根据本技术的实施方案，提供了一种制造显示装置的方法，包括：形成驱动显示元件的晶体管，其中所述各晶体管的形成包括形成栅电极，形成有机绝缘膜和有机半导体膜的层叠膜，所述层叠膜经由其间的栅绝缘膜与所述栅电极相对，以及使所述有机半导体膜图案化。

在根据本技术上述各个实施方案的晶体管或晶体管的制造方法中，有机绝缘膜在未图案化的情况下延伸预定的厚度。因此，与有机绝缘膜和有机半导体膜一起图案化的情况相比，在晶体管内的水平差减小了对应于有机绝缘膜的厚度的水平。

根据本技术上述各个实施方案的晶体管、晶体管的制造方法、半导体装置的制造方法和显示装置的制造方法，减小了在晶体管内的水平差，这样抑制了由水平差导致的膜分离和断线等的发生，从而提高了成品率。

可以理解的是，不论上述的概括描述还是下面的详细描述都是示例性的，并且旨在提供对所要求保护的技术的进一步解释。

附图说明

附图提供了对本发明的进一步理解，其包含在本说明书中并构成本说明书的一部分。这些附图示出了实施方案并且与说明书一起用于解释本发明技术的原理。

图1是示出根据本技术实施方案的晶体管的构造的断面图。

图2A是示出图1所示的晶体管的制造过程的断面图。

图2B是示出接着图2A的步骤的断面图。

图2C是示出接着图2B的步骤的断面图。

图3A是示出多个晶体管的示例性制造过程的断面图。

图3B是图3A所示的基板的平面图。

图4A是示出接着图2C的步骤的断面图。

图4B是示出接着图4A的步骤的断面图。

图5是示出根据比较例的晶体管的构造的断面图。

图6是示出图5所示的晶体管的另一个例子的断面图。

图7是示出具有图1所示的晶体管的显示装置的整体构造的图。

图8A是示出图7所示的像素驱动电路的例子的等效电路图。

图8B是示出图7所示的像素驱动电路的另一个例子的等效电路图。

图9是示出图7所示的显示装置的端部的构造的断面图。

图10A是示出应用例1的外观的例子的立体图。

图10B是示出应用例1的外观的另一个例子的立体图。

图11是示出应用例2的外观的立体图。

图12是示出应用例3的外观的立体图。

图13A是示出从前侧观察时应用例4的外观的立体图。

图13B是示出从背侧观察时应用例4的外观的立体图。

图14是示出应用例5的外观的立体图。

图15是示出应用例6的外观的立体图。

图16A是示出应用例7的关闭状态的图。