[发明专利]晶体管、其制造方法、半导体装置的制造方法和显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种制造晶体管的方法，包括：

形成栅电极；

形成有机绝缘膜和有机半导体膜的层叠膜，所述层叠膜经由其间的栅绝缘膜与所述栅电极相对；以及

使所述有机半导体膜图案化。

2.根据权利要求1所述的制造晶体管的方法，其中选择性地溶解所述有机半导体膜以使其图案化，而不溶解所述有机绝缘膜。

3.根据权利要求2所述的制造晶体管的方法，其中在所述有机半导体膜上设置保护膜，然后

使所述有机半导体膜图案化，从而具有与所述保护膜相同的平面形状。

4.根据权利要求3所述的制造晶体管的方法，其中在使所述有机半导体膜图案化之后，选择性地溶解所述保护膜并且将其除去。

5.根据权利要求1所述的制造晶体管的方法，其中所述有机半导体膜形成为与所述有机绝缘膜接触。

6.根据权利要求1所述的制造晶体管的方法，其中通过从含有所述有机绝缘膜和所述有机半导体膜的各自构成材料的混合溶液进行相分离而形成所述有机绝缘膜和所述有机半导体膜。

7.根据权利要求1所述的制造晶体管的方法，还包括：

将源/漏电极与所述有机半导体膜电连接。

8.根据权利要求7所述的制造晶体管的方法，其中

从接近基板的一侧顺次设置所述栅电极、所述栅绝缘膜、所述有机绝缘膜和所述有机半导体膜，以及

在使所述有机半导体膜图案化之后，形成所述源/漏电极。

9.一种制造半导体装置的方法，包括：

在基板上形成多个晶体管，

其中所述各晶体管的形成包括

形成栅电极，

形成有机绝缘膜和有机半导体膜的层叠膜，所述层叠膜经由其间的栅绝缘膜与所述栅电极相对，以及

使所述有机半导体膜图案化。

10.根据权利要求9所述的制造半导体装置的方法，其中在所述基板上局部地设置不具有所述有机绝缘膜的区域。

11.根据权利要求10所述的制造半导体装置的方法，其中在不具有所述有机绝缘膜的区域中，所述栅电极与引出电极电连接。

12.根据权利要求10所述的制造半导体装置的方法，其中不具有所述有机绝缘膜的区域设置在具有所述多个晶体管的区域的外侧。

13.一种制造显示装置的方法，包括：

形成驱动显示元件的晶体管，

其中所述各晶体管的形成包括

形成栅电极，

形成有机绝缘膜和有机半导体膜的层叠膜，所述层叠膜经由其间的栅绝缘膜与所述栅电极相对，以及

使所述有机半导体膜图案化。

14.一种晶体管，包括：

栅电极；

栅绝缘膜；

经由其间的栅绝缘膜与所述栅电极相对的有机半导体膜；以及

与所述有机半导体膜的一面接触并且比所述有机半导体膜更宽地延伸的有机绝缘膜。