[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年2月28日提交的韩国专利申请No.10-2013-0021882的优先权，在此援引该专利申请的全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及一种有机发光二极管（OLED）显示装置及其制造方法，尤其涉及一种具有高分辨率的OLED显示装置及其制造方法。

背景技术

随着具有轻重量及出色便携性的信息显示装置的发展，信息社会的发展正在加速。作为薄厚度的平板显示装置的代表例，液晶显示（LCD）装置已被商业化并取代了阴极射线管（CRT）显示装置，OLED显示装置作为下一代平板显示装置正引起更多的关注。因为OLED显示装置不使用单独的光源，比如用于LCD装置的背光，所以与LCD装置相比，OLED显示装置具有薄厚度和优良的色再现率，因而可实现锐利图像。此外，OLED显示装置具有宽视角、优良对比度、快速响应时间和低功耗。

图1是图解现有技术的OLED显示装置的一部分的剖面图。

如图1中所示，现有技术的OLED显示装置包括基板110、薄膜晶体管Tr、第一存储电极122、第二存储电极133、平坦化层140、阳极150和堤层160。

首先，在基板110上形成薄膜晶体管Tr。薄膜晶体管Tr包括半导体层111、第一栅极绝缘层120、栅极121、第二栅极绝缘层130、源极131和漏极132。

在基板110上依次形成半导体层111和第一栅极绝缘层120，在半导体层111上形成栅极121。第一存储电极122和栅极121同时形成在第一栅极绝缘层120上，即形成在同一层上。在栅极121上形成与栅极121绝缘的第二栅极绝缘层130。在第一和第二栅极绝缘层120和130中形成多个接触孔，以部分地暴露半导体层111，然后分别与半导体层111的暴露部分连接的源极131和漏极132形成在第二栅极绝缘层130上，即形成在同一层上。此外，与源极131和漏极132同时地在与第一存储电极122对应的区域中形成第二存储电极133。随后，形成与漏极132连接的阳极150，并形成用于限定阳极150与有机发光层（未示出）之间的接触区域（即发光区域）的堤层160。

在这种情形中，与栅极121同时形成的第一存储电极122以及与源极131及漏极132同时形成的第二存储电极133产生电容，由此使有机发光层在一帧期间能够保持发光状态。然而，可通过掺杂半导体层111取代第一存储电极122。此外，上述例子使用顶栅型，但不管薄膜晶体管Tr是何种类型，比如底栅型或双栅型，都可以以相同方式形成存储电极Cst。

因为现有技术的OLED显示装置的存储电极Cst全都与薄膜晶体管Tr的一些元件同时形成，所以存储电极Cst被限制性地仅形成在像素区域中的没有形成薄膜晶体管Tr的区域中。在这种情形中，由于薄膜晶体管Tr降低了存储电极Cst的设计自由度。此外，存储电极Cst应形成为具有特定面积或更大面积，以产生在一帧期间保持有机发光层的发光状态的特定电容。因此，为了形成占据特定面积或更大面积的（设计自由度受限的）存储电极Cst，像素尺寸不可避免地增大，导致分辨率下降。

发明内容

因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的OLED显示装置及其制造方法。

本发明的一个方面旨在提供一种具有减小的像素尺寸和高分辨率的OLED显示装置。

在下面的描述中将列出本发明的其它优点和特点，这些优点和特点的一部分在研究下面的描述之后对于所属领域普通技术人员来说将是显而易见的，或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。

为了实现这些和其他优点，根据本发明的意图，如在此具体化和概括描述的，提供了一种有机发光二极管（OLED）显示装置，包括：设置在基板上的金属线和薄膜晶体管；设置在所述金属线和所述薄膜晶体管上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上并与所述金属线电连接的存储电极；设置在所述存储电极上的第二绝缘层；和设置在所述第二绝缘层上以与所述薄膜晶体管连接的阳极，所述阳极与所述存储电极交叠，并且在所述阳极与所述存储电极之间具有所述第二绝缘层。