[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201310358974.2 | 申请日: | 2013-08-16 |
公开(公告)号: | CN104022136A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 郭相贤;赵南旭;李副烈;申阿岚 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管(OLED)显示装置,包括:
设置在基板上的金属线和薄膜晶体管;
设置在所述金属线和所述薄膜晶体管上的第一绝缘层;
设置在所述第一绝缘层上并与所述金属线电连接的存储电极;
设置在所述存储电极上的第二绝缘层;和
设置在所述第二绝缘层上以与所述薄膜晶体管连接的阳极,所述阳极与所述存储电极交叠,并且在所述阳极与所述存储电极之间具有所述第二绝缘层。
2.根据权利要求1所述的OLED显示装置,其中所述金属线作为与所述薄膜晶体管的源极、漏极、栅极中的至少一个相同的层的一部分,设置在所述基板上。
3.根据权利要求1所述的OLED显示装置,其中所述存储电极通过直接连接与所述金属线电连接。
4.根据权利要求1所述的OLED显示装置,其中所述存储电极通过与所述金属线直接连接的连线与所述金属线电连接。
5.根据权利要求4所述的OLED显示装置,其中所述连线至少部分地设置在与所述阳极相同的层中。
6.根据权利要求1所述的OLED显示装置,其中所述第二绝缘层在交叠区域中设置在所述阳极与所述存储电极之间,使得组成所述薄膜晶体管的栅极定位成与所述交叠区域的至少一部分交叠。
7.根据权利要求6所述的OLED显示装置,其中所述交叠区域还至少部分地与发光区域交叠。
8.根据权利要求1所述的OLED显示装置,其中所述第二绝缘层设置成完全覆盖所述存储电极。
9.根据权利要求1所述的OLED显示装置,其中所述第二绝缘层设置在所述阳极与所述存储电极之间以产生电容区域,使得所述电容区域与组成所述薄膜晶体管的栅极交叠。
10.根据权利要求9所述的OLED显示装置,其中所述第二绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度。
11.一种制造有机发光二极管(OLED)显示装置的方法,包括:
在基板上形成金属线和薄膜晶体管;
在所述金属线和所述薄膜晶体管上形成第一绝缘层;
将所述第一绝缘层图案化,以暴露所述金属线和所述薄膜晶体管;
在所述第一绝缘层上形成存储电极,以与所述金属线连接;
形成第二绝缘层,以覆盖所述第一绝缘层、所述存储电极和所暴露的薄膜晶体管;
将所述第二绝缘层图案化,以暴露所述薄膜晶体管;以及
在所述第二绝缘层上形成阳极以与所述薄膜晶体管连接,所述阳极与所述存储电极交叠,并且在所述阳极与所述存储电极之间形成有所述第二绝缘层。
12.根据权利要求11所述的方法,形成所述金属线包括将所述金属线形成为与所述薄膜晶体管的源极、漏极、栅极中的至少一个相同的层的一部分。
13.根据权利要求11所述的方法,其中将所述第二绝缘层图案化包括:
在所述第二绝缘层上形成光刻胶层;
去除形成在与所述薄膜晶体管交叠的部分第二绝缘层上的至少一部分光刻胶层,以暴露出所述部分第二绝缘层;以及
去除所述第二绝缘层的暴露部分,使得光刻胶层覆盖全部第二绝缘层。
14.根据权利要求13所述的方法,其中通过干蚀刻去除所述第二绝缘层的暴露部分。
15.根据权利要求11所述的方法,其中形成所述第二绝缘层包括:在交叠区域中在所述阳极与所述存储电极之间形成第二绝缘层,使得组成所述薄膜晶体管的栅极定位成与所述交叠区域的至少一部分交叠。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述交叠区域还至少部分地与发光区域交叠。
17.根据权利要求15所述的方法,其中形成所述第二绝缘层包括:在所述阳极与所述存储电极之间形成所述第二绝缘层,以形成电容区域,使得所述电容区域与组成所述薄膜晶体管的栅极交叠。
18.根据权利要求17所述的方法,其中形成所述第二绝缘层包括:将所述第二绝缘层形成为具有小于所述第一绝缘层的厚度的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的