[发明专利]一种100G高频模块的封装结构有效
申请号: | 201310345305.1 | 申请日: | 2013-08-09 |
公开(公告)号: | CN104345404A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 李炎红;李伟启;王向飞;翁建斌 | 申请(专利权)人: | 福州高意通讯有限公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42 |
代理公司: | 福建炼海律师事务所 35215 | 代理人: | 许育辉 |
地址: | 350001 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 100 高频 模块 封装 结构 | ||
1.一种100G高频模块的封装结构,其特征在于,其结构中心对称,包括8个通道,每个通道结构相同,分为4级,包括:第一级共面波导GCPW、第一级和第二级的过渡结构、第二级同轴线结构、第二级和第三级的过渡结构、第三级共面波导GCPW、第四级高频Pin脚,高频信号依次在4级结构中传输,从第四级输出。
2.如权利要求1所述的一种100G高频模块的封装结构,其特征在于,封装结构分为10层,所述第一级共面波导GCPW、第一级和第二级的过渡结构都分布在第一层板子上,第二级同轴线结构从第一层垂直分布到第十层,第二级和第三级的过渡结构、第三级共面波导GCPW都分布在第十层,第四级高频Pin脚从第十层引出。
3.如权利要求1-2任一项所述的一种100G高频模块的封装结构,其特征在于,所述第一级和第二级的过渡结构为GCPW结构,所述第二级和第三级的过渡结构为GCPW结构。
4.如权利要求3所述的一种100G高频模块的封装结构,其特征在于,该封装结构采用HTCC陶瓷材质。
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