[发明专利]电子器件制造方法、封装制造方法、电子器件和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及电子器件制造方法、封装制造方法、电子器件和电子设备。

背景技术

一直以来，公知有在封装中收纳振动元件等电子部件而构成的电子器件。另外，一般情况下，准备底座基板、在底座基板上安装振动元件，使盖与底座基板接合而对振动元件进行气密封闭，由此来制造这样的电子器件（例如，专利文献1）。

在专利文献1中，首先，在底座基板上涂敷浆状的低熔点玻璃，使该低熔点玻璃在真空炉中消泡之后进行煅烧。接着，在底座基板上安装振动元件，最后，通过低熔点玻璃使盖与底座基板接合而对振动元件进行气密封闭。在这样的方法中，因为预先进行了低熔点玻璃的消泡，所以能够使得将盖与底座基板接合时的加热温度比较低，从而能够抑制在该工序中产生气体。

但是，在专利文献1中具有如下这样的问题：因为消泡的条件不明，所以无法有效地进行低熔点玻璃的消泡，剩余的气泡成为泄漏通路导致气密性降低，或者促使低熔点玻璃变质（结晶化），使底座基板与盖的接合强度降低。

专利文献1：日本特开2004-172752号公报

发明内容

本发明的目的是提供通过可靠地进行消泡而具有良好的接合强度和高气密性的封装的制造方法、电子器件的制造方法以及电子器件。

本发明是为了解决上述问题的至少一部分而完成的，能够作为以下的方式或应用例而实现。

[应用例1]

本发明的封装的制造方法的特征是，包括以下的工序：准备至少在一方设置有低熔点玻璃的底座基板以及盖体；在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上，对所述低熔点玻璃进行消泡；以及在隔着所述低熔点玻璃使所述底座基板以及所述盖体重合之后，在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上，接合所述底座基板以及所述盖体。

由此，能够可靠地进行消泡，并能够制造具有良好的接合强度和高气密性的封装。

[应用例2]

本发明的电子器件的制造方法的特征是，包括以下的工序：准备至少在一方设置有低熔点玻璃的底座基板以及盖体；在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上，对所述低熔点玻璃进行消泡；在隔着所述低熔点玻璃使所述底座基板以及所述盖体重合之后，在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上，接合所述底座基板以及所述盖体；以及在所述接合的工序之前，利用保持部件在所述底座基板上安装功能元件。

由此，能够可靠地进行消泡，并能够制造具有良好的接合强度和高气密性的电子器件。

[应用例3]

在本发明的电子器件的制造方法中，优选的是，在所述消泡的工序中，将所述低熔点玻璃加热到作业点以上。

由此，能够更有效地进行低熔点玻璃的消泡。

[应用例4]

在本发明的电子器件的制造方法中，优选的是，在所述接合的工序中，将所述低熔点玻璃加热到流动点以上且作业点以下。

由此，能够将接合时的温度抑制到最小限度，所以能够有效地抑制在封装内产生气体。另外，能够提高封装内的真空度。

[应用例5]

在本发明的电子器件的制造方法中，优选的是，在所述消泡的工序之前，包括这样的工序：在含有氧的环境中将所述低熔点玻璃加热到低于转移点的温度。

由此，能够去除（煅烧）低熔点玻璃所包含的粘合剂，所以在之后的工序中可防止粘合剂气化而成为气体。

[应用例6]

在本发明的电子器件的制造方法中，优选的是，所述低熔点玻璃至少设置在底座基板上，在所述消泡的工序之前进行安装所述功能元件的工序。

由此，在消泡的工序中，可进行低熔点玻璃的消泡并且进行保持部件的煅烧。因此，能够进行制造工序的削减，另外，能够降低低熔点玻璃受到的热损伤。

[应用例7]

在本发明的电子器件的制造方法中，优选的是，在所述消泡的工序中，与所述低熔点玻璃的消泡同时进行所述保持部件的煅烧。

由此，能够削减制造工序。另外，能够降低低熔点玻璃受到的热损伤。

[应用例8]

本发明的电子器件在利用低熔点玻璃接合底座基板和盖体而构成的内部空间中配置有功能元件，其特征在于，所述低熔点玻璃为致密状态。

由此，可获得具有良好的接合强度和高气密性的电子器件。

[应用例9]

本发明的电子设备的特征在于具备应用例8的电子器件。

由此，能够获得可靠性高的电子设备。

附图说明