[发明专利]电子器件制造方法、封装制造方法、电子器件和电子设备有效
| 申请号： | 201310343947.8 | 申请日： | 2013-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN103594384B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 镰仓知之 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/54;H01L21/50;H01L23/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子器件 制造 方法 封装 电子设备 | ||
1.一种电子器件的制造方法，其特征在于，包括以下的工序：
准备至少在一方设置有低熔点玻璃的底座基板以及盖体；
在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上，对所述低熔点玻璃进行消泡；
在隔着所述低熔点玻璃使所述底座基板以及所述盖体重合之后，在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上，接合所述底座基板以及所述盖体；以及
在所述接合的工序之前，利用保持部件在所述底座基板上安装功能元件。
2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中，
在所述消泡的工序中，将所述低熔点玻璃加热到作业点以上。
3.根据权利要求1或2所述的电子器件的制造方法，其中，
在所述接合的工序中，将所述低熔点玻璃加热到流动点以上且作业点以下。
4.根据权利要求1或2所述的电子器件的制造方法，其中，
在所述消泡的工序之前，包括这样的工序：在含有氧的环境中将所述低熔点玻璃加热到低于转移点的温度。
5.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中，
所述低熔点玻璃至少设置在底座基板上，
在所述消泡的工序之前进行安装所述功能元件的工序。
6.根据权利要求5所述的电子器件的制造方法，其中，
在所述消泡的工序中，与所述低熔点玻璃的消泡同时进行所述保持部件的煅烧。
7.一种封装的制造方法，其特征在于，包括以下的工序：
准备至少在一方设置有低熔点玻璃的底座基板以及盖体；
在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上，对所述低熔点玻璃进行消泡；以及
在隔着所述低熔点玻璃使所述底座基板以及所述盖体重合之后，在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上，接合所述底座基板以及所述盖体。
8.一种电子器件，在利用低熔点玻璃接合底座基板和盖体而构成的内部空间中配置有功能元件，其特征在于，
所述低熔点玻璃为致密状态。
9.一种电子设备，其特征在于，该电子设备具备权利要求8所述的电子器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
