[发明专利]用于升压字线定时方案的字线跟踪

说明书

技术领域

本发明涉及存储器件领域，更具体地，涉及用于升压字线定时方案的字线跟踪。

背景技术

存储器件具有与摩尔定律密切相关的存储容量，这说明大约每18个月集成电路上的晶体管数量都将会翻倍。因此，作为器件中特别的一类，存储器件的密度在最近几十年具有不可思议的快速（诸如，指数级的）增长。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种方法，包括：将字线电压提供到连接至多个存储单元的字线；在字线的预定位置处测量字线电压并提供升压使能信号，升压使能信号的状态表示所测量的字线电压是否达到非零的预定字线电压；以及基于升压使能信号选择性地将所提供的字线电压升高至升压字线电压电平。

其中，非零的预定字线电压近似对应于存储单元的存取晶体管的阈值电压。

其中，选择性地将字线电压升高至升压字线电压电平的步骤通过使一个或多个电容元件放电来完成。

其中，基于提供给字线驱动器的DC供电节点的DC电源电压将字线电压提供给字线。

其中，基于将存储的电荷释放给字线驱动器的DC供电节点的至少一个电容元件将升压字线电压提供给字线。

其中，当DC电源电压与DC供电节点不相连时，至少一个电容元件将所存储的电荷释放给DC供电节点。

本发明还提供了一种存储器件，包括：字线驱动器，被配置为将字线电压输出给连接至多个存储单元的字线；检测器，配置在字线上的预定位置处，检测器被配置为引起升压使能信号的改变，升压使能信号的状态表示预定位置处的字线电压与非零的预定字线电压是否具有预定的关系；以及升压电路，基于升压使能信号选择性地将字线电压升高至升压字线电压电平。

其中，预定字线阈值足以使能存取晶体管，存取晶体管连接至字线驱动器和字线的末端之间排列的存储单元。

其中，升压电路用于将字线电压选择性地升高至至少两个不同的升压字线电压电平中的一个。

其中，升压电路连接至字线驱动器的DC供电节点。

其中，升压电路被配置为基于升压使能信号选择性地将升压字线电压提供给DC供电节点。

该存储器件进一步包括：DC电源晶体管，连接至DC供电节点；其中，当升压使能信号处于第一状态时，DC电源晶体管将近似对应于VDD的DC电源电压提供给DC供电节点。

其中，当升压使能信号处于第二状态时，DC电源晶体管进入高阻状态以使DC供电节点与DC电源电压不相连，且升压电路将升压字线电压提供给DC供电节点。

其中，存储单元是包括一对交叉耦合反相器的静态随机存取存储（SRAM）单元。

此外，还提供了一种存储器件，包括：存储阵列，包括排列在多行和多列中的多个存储单元，其中，存储单元沿行具有相应的存取晶体管，相应的存取晶体管具有连接至字线的相应的栅极；字线驱动器，具有连接至字线的输出端；检测器，设置在字线上的预定位置处以引起升压使能信号的改变，升压使能信号的状态表示预定位置处的字线电压是否近似达到存取晶体管的阈值电压；以及升压电路，基于升压使能信号选择性地提供升压字线电压。

该存储器件进一步包括：第二字线驱动器，具有连接至第二字线的输出端，第二字线连接至存储阵列中的存储单元的第二行的相应的存取晶体管的栅极；以及第二检测器，设置在第二字线上的预定位置处，并且被配置为引起升压使能信号的改变。

其中，存储器件包括连接至第一检测器和第二检测器的字线报警节点。

其中，在存储操作过程中，在字线激活前，将字线报警节点预充电至第一电压电平，并且当对应的字线电压近似达到存取晶体管的阈值电压时，第一检测器或第二检测器将字线报警节点拉至不同的第二电压电平。

其中，根据升压电平控制信号的状态，升压电路用于选择性地将字线电压升高至至少两个不同的升压字线电压电平中的一个。

其中，存储单元是包括一对交叉耦合反相器的静态随机存取存储（SRAM）单元。

附图说明

图1是具有一些缺陷的存储器件的框图。

图2示出了使用用于升压字线的写入跟踪技术的存储器件的框图的一些实施例。

图3示出了使用用于升压字线的写入跟踪技术的存储器件的电路实现的一些实施例。

图4示出了对应于图3的电路实现的时序图的一些实施例。

图5示出了用于提供升压字线电压的方法的一些实施例。

具体实施方式