[发明专利]阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。对于TFT-LCD来说，阵列基板以及制造工艺决定了其产品性能、成品率和价格。

一般而言，阵列基板主要包括基板以及基板上的像素单元，像素单元主要由栅极扫描线、数据扫描线、薄膜晶体管组成。栅极扫描线和数据扫描线分别用来传输扫描信号和数据信号，为了防止信号在传输过程中产生信号失真，一般用导电性能好的金属或金属合金用来做栅极扫描线和数据扫描线的材料。栅极扫描线和数据扫描线的材料由原来高电阻材料铬（Cr）、钼（Mo）、铝钕（AlNd）逐步转化成低电阻纯铝（Al）材料。但是，低电阻纯Al薄膜的缺点是热稳定性差，加热到一定程度之后，会出现小丘（hillock），该小丘会刺穿栅极绝缘层，从而导致栅极扫描线和源漏电极或者数据扫描线发生短路。小丘产生的机理是：由于玻璃和Al薄膜之间的热膨胀系数不同，受热时Al薄膜发生膨胀形变，在玻璃的一侧由于受到限制，当温度达到一定限制时（一般为130度），Al薄膜达到内部最大的承受压缩应力的极限，Al薄膜内的原子发生移动，释放内部的应力，一般沿着晶界的方向释放，就形成小丘。

因此，如何更好的抑制小丘的形成成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及显示装置，能够抑制阵列基板的金属图案由于受热而产生小丘。

一种阵列基板，包括基板和所述基板上的金属图案，所述金属图案包括由Al和第二金属的混合物形成的金属层，所述金属层中第二金属与Al的含量比低于1/99。

所述第二金属与Al的含量比在1/999-1/199之间。

所述第二金属在金属Al薄膜内起到定扎的作用，防止Al原子受热之后发生移动，从而避免了小丘的形成。

所述金属图案为双层结构，其中，第一层为所述金属层；第二层由Mo组成。

所述金属图案为依次叠加的三层结构，其中，第一层由Mo组成；第二层为所述金属层；第三层由Mo、Ti或Ta组成。

所述第二金属为Nd、Ti、Zr、Ta、Sc或者Cu。

所述第二金属与Al的含量比在1/999-1/199之间。

所述金属图案为栅电极、栅极扫描线、数据扫描线、源电极、漏电极中的至少一种。

一种显示装置，包括所述的阵列基板。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

本发明在Al中添加微量的其它金属元素形成合金，如Nd、Ti、Zr、Ta、Sc、Cu等金属，降低成本，同时添加的金属在晶体内起到定扎的作用，防止Al原子受热移动形成小丘，与纯Al的三层结构一起使用可以提高产品的良品率，大约可以提高1%-8%。

具体实施方式

为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

本发明所述的一种阵列基板，包括基板和所述基板上的金属图案，所述金属图案包括由Al和第二金属的混合物形成的金属层，所述金属层中第二金属与Al的含量比低于1/99。

所述第二金属与Al的含量比优选在1/999-1/199之间。

所述所述第二金属在Al薄膜内起到定扎的作用，防止Al原子受热之后发生移动，从而避免了小丘的形成。

所述金属图案为双层结构，其中，第一层为所述金属层；第二层由Mo组成。

所述金属图案为依次叠加的三层结构，其中，第一层由Mo组成；第二层为所述金属层；第三层由Mo、Ti或Ta组成。

所述第二金属为Nd、Ti、Zr、Ta、Sc或者Cu。

所述金属图案为栅电极、栅极扫描线、数据扫描线、源电极、漏电极中的至少一种。

一种阵列基板，至少包括基板和基板上的金属图案，所述金属图案至少包括栅极扫描线、数据扫描线和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管至少包括栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极、栅极扫描线、数据扫描线、源电极、漏电极均包括本发明所述的金属层。