[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。

背景技术

随着科技的不断进步，用户对液晶显示设备的需求日益增加，TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)也成为了手机、平板电脑等产品中使用的主流显示器。

TFT的性能决定了液晶显示器的显示品质，图1为现有TFT阵列基板的结构示意图，如图1所示，现有TFT阵列基板一般依次包括有衬底基板1、栅电极和栅线11、栅绝缘层5、有源层6、刻蚀阻挡层7、源电极和漏电极8、钝化层9和像素电极10。为了提高栅电极和栅线的导电性能，一般采用Cu来制备栅电极和栅线，但是在采用Cu制备栅电极和栅线之后，栅电极和栅线中的Cu原子容易发生扩散，并且由于栅绝缘层的致密性不是很好，Cu原子会通过栅绝缘层进入到有源层中，增大有源层的导电性，将会严重影响TFT的性能，导致显示器不能正常显示。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置，能够避免栅电极和栅线中的金属原子在阵列基板中发生扩散。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板的栅电极和栅线的外部包覆有金属氧化物薄膜。

进一步地，上述方案中，所述栅电极和栅线为在利用包括有第一金属和第二金属的栅金属层形成栅电极和栅线的图形之后、对栅电极和栅线的图形在含氧气体中进行退火后得到，其中，所述金属氧化物薄膜为所述第二金属与氧气发生反应后形成。

进一步地，上述方案中，所述第一金属为Cu，所述第二金属为Mg、Cr、Hf、Ca、Al中的一种或多种。

进一步地，上述方案中，所述第二金属在所述栅金属层中所占的重量百分比为1-5%。

进一步地，上述方案中，所述阵列基板具体包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的外部包覆有金属氧化物薄膜的所述栅电极和所述栅线；

所述栅电极和所述栅线上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的有源层；

所述有源层上的刻蚀阻挡层；

所述刻蚀阻挡层上的由所述源漏金属层组成的漏电极、源电极和数据线；

所述漏电极、所述源电极和所述数据线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的过孔；

所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极电连接。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：形成包覆阵列基板的栅电极和栅线的金属氧化物薄膜。

进一步地，上述方案中，所述形成包覆阵列基板的栅电极和栅线的金属氧化物薄膜包括：

利用包括有第一金属和第二金属的栅金属层形成栅电极和栅线的图形，在含氧气体中对所述栅电极和栅线的图形进行退火，使所述第二金属在第一金属中发生偏析与外部的氧气反应，在所述栅电极和栅线外部形成所述金属氧化物薄膜。

进一步地，上述方案中，所述第一金属为Cu，所述第二金属为Mg、Cr、Hf、Ca、Al中的一种或多种。

进一步地，上述方案中，所述在含氧气体中对所述栅电极和栅线的图形进行退火包括：

在200-300°的温度下对所述栅电极和栅线的图形进行退火0.5-2h。

进一步地，上述方案中，所述制作方法具体包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上利用栅金属层形成栅电极和栅线的图形，对所述栅电极和栅线的图形在含氧气体中进行退火，得到外部包覆有金属氧化物薄膜的所述栅电极和所述栅线；

在形成有所述栅电极和所述栅线的衬底基板上形成栅绝缘层；

在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成有源层的图形；

在形成有所述有源层的衬底基板上形成刻蚀阻挡层的图形；

在形成有所述刻蚀阻挡层的衬底基板上形成数据线、源电极和漏电极的图形；

在形成有所述数据线、所述源电极和所述漏电极的衬底基板上形成钝化层的图形，所述钝化层的图形包括有对应所述漏电极的过孔；

在形成有所述钝化层的衬底基板上形成像素电极的图形，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极电连接。

本发明的实施例具有以下有益效果：