[发明专利]带光反射层的半导体发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光器件，进一步涉及一种带光反射层的半导体发光器件。

背景技术

随着半导体发光芯片发光效率的提升和制造成本的下降，半导体发光芯片已被广泛应用于背光、显示和照明等领域。

常见的半导体发光器件包括基板、n型导电层、发光层、p型导电层、n型电极、p型电极、导电线、绝缘层及焊盘等，n型导电层、发光层与p型导电层共同组成半导体叠层设置在基板上，n型电极与p型电极分别导电连接n型导电层与p型导电层。半导体发光器件发光时，除出光表面外，光还会从半导体发光器件的其它表面和侧面射出，使得其发的光不能被充分的利用，不仅降低了由半导体发光器件的发光效率，也会影响到该发光器件的光形，不适用于如需要小发射角度的投射型光源和器件。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，提供一种提高发光效率和出光光形的半导体发光器件。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种带光反射层的半导体发光器件，包括具有第一表面和第二表面的基板，所述第一表面上设有半导体发光芯片；所述半导体发光芯片至少有一表面和/或侧面为出光表面，除所述出光表面外，所述半导体发光芯片的其它表面和侧面被至少一光反射层所包裹。

优选地，所述光反射层包括非金属基光反射层和金属基光反射层中的一种或多种组合。

优选地，所述半导体发光芯片包括至少一半导体叠层，所述半导体叠层至少包括依次叠设的n型导电层、发光层和p型导电层；所述半导体叠层上设有至少一与所述n型导电层导电连接的n型电极和至少一与所述p型导电层导电连接的p型电极；在所述p型导电层表面至少有一裸露出部分n型导电层的n型电极凹陷，所述n型电极设在所述n型电极凹陷内；所述半导体叠层以所述p型导电层朝向所述基板设置在所述基板的第一表面上；

所述n型导电层背向所述基板的表面为所述半导体发光芯片的出光表面，所述光反射层包裹在除所述出光表面外的所述半导体叠层表面和四周侧面上，至少一所述p型电极和至少一所述n型电极裸露出所述光反射层表面。

优选地，所述出光表面还包括所述半导体叠层的四周侧面的部分或全部。

优选地，所述光反射层内形成有n型电极互连层，所述n型电极互连层与至少一所述n型电极导电连接；和/或，所述光反射层内形成有p型电极互连层，所述p型电极互连层与至少一所述p型电极导电连接；

所述n型电极互连层和p型电极互连层彼此绝缘。

优选地，所述p型导电层表面的部分或全部设有至少一p型电流扩展层，至少有一所述p型电极与所述p型电流扩展层导电连接；所述光反射层包裹部分或全部所述p型电流扩展层；和/或，

所述n型导电层表面的部分或全部设有至少一n型电流扩展层，至少有一所述n型电极与所述n型电流扩展层导电连接；所述光反射层包裹部分或全部所述n型电流扩展层。

优选地，所述p型电流扩展层包括p型透光电流扩展层和p型金属基电流扩展反射层中的一种或多种组合；所述p型透光电流扩展层包括ZnO、ITO、重掺p型导电层中的一种或多种组合，所述p型金属基电流扩展反射层包括p型金属扩散阻挡层、p型导电扩展层、p型光反射层、p型接触层中的一种或多种组合；

所述n型电流扩展层包括n型透光电流扩展层和n型金属基电流扩展反射层中的一种或多种组合；所述n型透光电流扩展层包括ZnO、ITO、重掺n型导电层中的一种或多种组合，所述n型金属基电流扩展反射层包括n型金属扩散阻挡层、p型导电扩展层、p型光反射层、p型接触层中的一种或多种组合。

优选地，所述光反射层与所述p型电流扩展层和/或n型电流扩展层之间设有至少一透光绝缘层。

优选地，所述基板第一表面设有至少一p型焊垫和至少一n型焊垫；

所述p型焊垫与裸露出所述光反射层的所述p型电极导电连接，所述n型焊垫与裸露出所述光反射层的所述n型电极导电连接；或，所述光反射层上设有至少一绝缘保护层，至少一所述p型电极裸露出所述绝缘保护层与所述p型焊垫导电连接，至少一所述n型电极裸露出所述绝缘保护层与所述n型焊垫导电连接。

在所述绝缘保护层内，设有至少一n型电极互连层，所述n型电极互连层与至少一位于所述n型电极互连层下方的n型电极导电连接、与至少一位于所述n型电极互连层上方的所述n电极导电连接；和/或，

在所述绝缘保护层内，设有至少一p型电极互连层，所述p型电极互连层与至少一位于所述p型电极互连层下方的p型电极导电连接、与至少一位于所述p型电极互连层上方的所述p电极导电连接；