[发明专利]半导体晶片的制造方法及半导体晶片无效
| 申请号： | 201310288712.3 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104064444A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 牧野亮平;熊田贵夫;江户雅晴;高木启史 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社;富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 制造 方法 | ||
1.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，包括：
化合物半导体层形成工序，在基板的主表面上形成种类不同于上述基板的化合物半导体层；和
除去工序，通过蚀刻除去已形成于上述基板的主表面的外周部的化合物半导体层。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，
该制造方法包括由用于在上述化合物半导体层上形成半导体装置的多个工序组成的半导体装置形成工序，
上述除去工序和上述多个工序中的任一个工序被同时进行。
3.根据权利要求2所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，
上述除去工序与对上述半导体装置进行元件分离的元件分离工序被同时进行。
4.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，包括：
在基板的主表面上形成种类不同于上述基板的化合物半导体层的化合物半导体层形成工序，
上述化合物半导体层形成工序中，将上述基板的主表面的外周部遮蔽的同时形成该化合物半导体层。
5.根据权利要求1或4所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，
上述基板为硅基板。
6.根据权利要求1或4所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，
上述化合物半导体层包括氮化物系化合物半导体。
7.根据权利要求1或4所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，
该制造方法还包括：薄板化工序，对上述基板的与已形成上述化合物半导体层的主表面不同的主表面进行研磨或磨削，以使上述基板的厚度变薄。
8.根据权利要求7所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，
该制造方法还包括在上述薄板化工序后将该半导体晶片分割为多个单片的分割工序。
9.一种半导体晶片，其特征在于，具备：
基板；和
化合物半导体层，其形成于上述基板的主表面上且种类不同于上述基板，
在上述基板的外周部的主表面上形成有通过蚀刻而除去了上述化合物半导体层的区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
