[发明专利]具有裸片附接焊盘锁定特征的热无引线阵列封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包含：

裸片附接焊盘，其包括内表面和暴露表面；

多个接触，其中所述多个接触包括最接近所述裸片附接焊盘的内接触；

半导体裸片，安装在所述裸片附接焊盘的所述内表面上；

键合线，其将所述半导体裸片耦合到所述多个接触；以及

模塑料，包括第一底面，其中所述第一底面从所述裸片附接焊盘的所述暴露表面向所述内接触延伸。

2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述裸片附接焊盘和所述内接触之间的模塑料、所述裸片附接焊盘以及所述内接触的底面均共面。

3.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述裸片附接焊盘和所述内接触之间的模塑料包括梯级特征，并且其中所述梯级特征形成所述模塑料的第二底面。

4.如权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，所述梯级特征为邻近所述内接触的模塑料的缺口。

5.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述模塑料包括第二底面，其中所述模塑料的所述第二底面从所述内接触向所述暴露表面延伸。

6.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述模塑料包括相对于所述内接触的底面凹陷的第二底面。

7.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述内接触被部分地密封。

8.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述多个接触从所述模塑料突出一定的距离。

9.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述裸片附接焊盘和所述多个接触焊盘具有啮合特征。

10.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述多个接触包括有源的拐角接触。

11.一种制造半导体封装的方法，包含：

蚀刻引线框以形成多个联结杆、多个接触和通过所述多个联结杆耦合到所述多个接触的一部分的裸片附接焊盘，并且以形成蚀刻穿过所述引线框的围绕所述裸片附接焊盘的多个区域；

制备所述半导体封装；

蚀刻所述引线框的底面以将所述多个接触与所述裸片附接焊盘隔离；以及

对所述半导体封装进行单片化。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，在蚀刻引线框之后，所述方法进一步包含：

选择性地镀覆所述引线框的顶面；以及

将所述引线框的底面与胶带进行层压。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，以Ag，Ni、Pd和Au的叠层，NiPdAu合金，NiAu或NiAu合金对所述顶面进行镀覆。

14.如权利要求12所述的方法，进一步包含：在制备所述半导体封装之后，从所述引线框的底面移除所述胶带。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包含：在蚀刻所述引线框的底面之后，向所述引线框的底面选择性地涂覆可焊接材料。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述可焊接材料为Sn、NiAu、NiPdAu、Ag、SnPb、SnAgCu、SnAgCuNi或无铅合成物。

17.如权利要求11所述的方法，其特征在于，制备所述半导体封装包括：

将裸片耦合到所述裸片附接焊盘；

将所述裸片引线键合到所述多个接触；以及

密封所述裸片附接焊盘、所述多个接触、所述裸片和键合线。

18.如权利要求11所述的方法，其特征在于，制备所述半导体封装，由此将所述裸片附接焊盘嵌入模塑料中，从而使所述裸片附接焊盘的暴露表面处于所述半导体封装的底部，并且其中所述裸片附接焊盘和最接近所述裸片附接焊盘的接触之间的模塑料从所述裸片附接焊盘的暴露表面向所述接触延伸。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述裸片附接焊盘和所述最接近所述裸片附接焊盘的接触之间的模塑料包括梯级特征。

20.如权利要求11所述的方法，其特征在于，每个联结杆从所述裸片附接焊盘的拐角延伸，并且其中在蚀刻所述底面之后，所述多个接触包括有源的拐角接触。