[发明专利]一种基于无机体异质结的太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种基于无机体异质结的太阳电池，包括有玻璃衬基，其特征在于：玻璃衬基上镀有太阳电池阳极，太阳电池阳极上设置有体异质结复合膜，体异质结复合膜上沉积有电子阻挡层，电子阻挡层上沉积有空穴传输层，空穴传输层上沉积有太阳电池阴极，所述体异质结复合膜由多个TiO₂纳米棒构成的TiO₂纳米棒阵列、Sb₂S₃材料层构成，TiO₂纳米棒阵列中多个TiO₂纳米棒分别垂直生长于太阳电池阳极上，Sb₂S₃材料层沉积在太阳电池阳极上，且Sb₂S₃材料层在TiO₂纳米棒阵列侧面及上方包围TiO₂纳米棒阵列并填满TiO₂纳米棒之间间隙，由TiO₂纳米棒阵列构成太阳电池的电子传输通道，由Sb₂S₃材料层构成光吸收材料。

2.根据权利要求1所述的一种基于无机体异质结的太阳电池，其特征在于：所述太阳电池阳极优选FTO层，所述电子阻挡层优选MEH-PPV膜层，所述空穴传输层优选PEDOT:PSS层，所述太阳电池阴极优选Au膜。

3.根据权利要求2所述的一种基于无机体异质结的太阳电池，其特征在于：所述空穴传输层由PEDOT:PSS和异丙醇组成的混合液而得，所述的PEDOT:PSS和异丙醇的体积比为1:0.5-1.5。

4.根据权利要求2所述的一种基于无机体异质结的太阳电池，其特征在于：所述FTO层的厚度为100-450 nm，TiO₂纳米棒阵列的长度为200-2000 nm、直径为10-100 nm，TiO₂纳米棒阵列的数量密度为100-500个/mm²，Sb₂S₃材料层和TiO₂纳米棒阵列构成的体异质结复合膜厚度为250-2200 nm，MEH-PPV膜层厚度为20-100 nm，PEDOT:PSS层厚度为30-80 nm，Au膜厚度为60-120 nm。