[发明专利]封装片、发光二极管装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及封装片、发光二极管装置及其制造方法，详细而言，涉及用于光学用途的发光二极管装置、其制造方法、以及它们所使用的封装片。

背景技术

以往，作为能够发出高能光的发光装置，已知有白色发光装置。

白色发光装置例如通过如下过程发出白色光：从光半导体发出蓝色光，通过含有荧光体的荧光体层将该发光的一部分转换成黄色光，将这些蓝色光和黄色光混合，由此发出白色光。

近年来，在这种白色发光装置中，为了提高自光半导体的光提取效率、降低色调的角度依赖性，研究了将光半导体与荧光体层分离的结构。

作为这种白色发光装置，例如提出了如下的半导体发光装置：其具备LED、将LED容纳在内部空间的荧光罩和填充LED与荧光罩之间的空间的树脂封装体（例如参照日本特开2001-358368号公报）。

发明内容

然而，在日本特开2001-358368号公报所记载的半导体发光装置中，伴随着发光的LED和荧光罩的发热会导致树脂封装体的温度上升，有时会发生树脂封装体中的残存单体（未反应液状树脂）的渗出。由此，会产生损害半导体发光装置的外观这样的缺陷。

本发明的目的在于，提供能够抑制封装树脂层中的渗出的封装片、通过其封装发光二极管元件、实现了美观性的提高的发光二极管装置及其制造方法。

本发明的封装片特征在于，其具备封装树脂层、和形成在前述封装树脂层的厚度方向一侧的阻隔薄膜层。

另外，在本发明的封装片中，适宜的是，前述阻隔薄膜层对波长450nm的光的前述厚度方向的总光线吸收率为8%以下。

另外，在本发明的封装片中，适宜的是，前述阻隔薄膜层的厚度低于200μm。

另外，在本发明的封装片中，适宜的是，其还具备以与前述阻隔薄膜层邻接的方式形成的荧光体层。

另外，在本发明的封装片中，适宜的是，前述阻隔薄膜层相对于前述荧光体层形成在前述厚度方向一侧。

另外，本发明的发光二极管装置的制造方法的特征在于，其具备如下工序：通过具备封装树脂层、和形成在前述封装树脂层的厚度方向一侧的阻隔薄膜层的封装片的前述封装树脂层来埋设安装于基板的发光二极管元件，由此将前述发光二极管元件封装。

另外，本发明的发光二极管装置特征在于，其是通过具备如下工序的发光二极管装置的制造方法得到的：通过具备封装树脂层、和形成在前述封装树脂层的厚度方向一侧的阻隔薄膜层的封装片的前述封装树脂层来埋设安装于基板的发光二极管元件，由此将前述发光二极管元件封装。

在本发明的封装片中，阻隔薄膜层形成在封装树脂层的厚度方向一侧。

因此，根据本发明的封装片，在封装有发光二极管元件的发光二极管装置中，即使发光二极管元件和封装树脂层随着发光而发热，也可以通过阻隔薄膜层抑制封装树脂层中的残存单体（未反应液状树脂）在厚度方向一侧析出的渗出。其结果，能够实现发光二极管装置的美观性的提高。

本发明的发光二极管装置通过阻隔薄膜层进行增强，因此能够有效地防止变形。

附图说明

图1为表示本发明的封装片的一个实施方式的剖面图。

图2为制造图1的封装片的方法的工序图，

图2的（a）表示准备阻隔薄膜层的工序、

图2的（b）表示形成荧光体层的工序、

图2的（c）表示形成封装树脂层的工序。

图3为利用图1的封装片将发光二极管元件封装而制造发光二极管装置的、本发明的发光二极管装置的制造方法的一个实施方式的工序图，

图3的（a）表示准备封装片和基板的工序、

图3的（b）表示使用平板压制机将发光二极管元件封装的工序。

图4为利用图1的封装片将发光二极管元件封装而制造发光二极管装置的、本发明的发光二极管装置的制造方法的其他实施方式的工序图，

图4的（a）表示准备封装片、基板和金属模具的工序、

图4的（b）表示用金属模具将封装片加压成型的工序。

图5为表示本发明的封装片的其他实施方式（封装片由阻隔薄膜层和封装树脂层形成的方式）的剖面图。

图6为表示本发明的封装片的其他实施方式（阻隔薄膜层夹在荧光体层和封装树脂层之间的方式）的剖面图。

图7为利用图6的封装片将发光二极管元件封装而制造发光二极管装置的方法的工序图，

图7的（a）表示准备封装片和基板的工序、

图7的（b）表示使用平板压制机将发光二极管元件封装的工序