[发明专利]封装片、发光二极管装置及其制造方法在审
申请号: | 201310231322.2 | 申请日: | 2013-06-09 |
公开(公告)号: | CN103489988A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 河野广希;近藤隆;松田广和 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/56;H01L33/50 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种封装片,其特征在于,其具备封装树脂层、和
形成在所述封装树脂层的厚度方向一侧的阻隔薄膜层。
2.根据权利要求1所述的封装片,其特征在于,所述阻隔薄膜层对波长450nm的光的所述厚度方向的总光线吸收率为8%以下。
3.根据权利要求1所述的封装片,其特征在于,所述阻隔薄膜层的厚度低于200μm。
4.根据权利要求1所述的封装片,其特征在于,其还具备以与所述阻隔薄膜层邻接的方式形成的荧光体层。
5.根据权利要求4所述的封装片,其特征在于,所述阻隔薄膜层相对于所述荧光体层形成在所述厚度方向一侧。
6.一种发光二极管装置的制造方法,其特征在于,其具备如下工序:通过具备封装树脂层、和形成在所述封装树脂层的厚度方向一侧的阻隔薄膜层的封装片的所述封装树脂层来埋设安装于基板的发光二极管元件,由此将所述发光二极管元件封装。
7.一种发光二极管装置,其特征在于,其是通过具备如下工序的发光二极管装置的制造方法得到的:通过具备封装树脂层、和形成在所述封装树脂层的厚度方向一侧的阻隔薄膜层的封装片的所述封装树脂层来埋设安装于基板的发光二极管元件,由此将所述发光二极管元件封装。
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