[发明专利]一种基于框架采用键合线连接技术的封装件及其制作工艺

说明书

 

技术领域

本发明属于集成电路封装技术领域，具体是一种基于框架采用键合线连接技术的封装件及其制作工艺。

背景技术

集成电路扁平无引脚封装是在近几年随着通讯及便携式小型数码电子产品的产生(数码相机、手机、PC、MP3)而发展起来的，适用于高频、宽带、低噪声、高导热、小体积、高速度等电性要求的中小规模集成电路的封装。集成电路扁平无引脚封装有效地利用了引线脚的封装空间，从而大幅度地提高了封装效率。该封装由于引线短小、塑封体尺寸小、封装体薄，可以使CPU体积缩小30%-50%。所以它能提供卓越的电性能，同时还提供了出色的散热性能。

普通的集成电路扁平无引脚封装封装主要存在以下不足：框架载体的集成电路扁平无引脚封装产品需要根据芯片尺寸及电路连通设计框架图形，再用腐蚀等方法将框架加工成设计好的图形，设计及制作周期长，成本比较高。并且目前的集成电路扁平无引脚封装系列封装件在凸点的排布以及I/O的密集程度上也由于框架设计及框架制造工艺而有所限制。

发明内容

   为了克服上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种基于框架采用键合线连接技术的封装件及其制作工艺，本发明通过电镀银之后在植有的金属凸点上直接压焊，也可通过电镀银后直接打线的方法实现了框架图形的设计在框架制作时期就完成，缩短了制作周期，更好得实现芯片与载体的互联，使I/O更加密集，成本更低。

一种基于框架采用键合线连接技术的封装件包括有芯片、塑封体、镀银层和键合线。所述镀银层为相互独立的镀银层段，部分镀银层上有芯片，所述芯片和无芯片的部分镀银层通过键合线连接，塑封体包围了芯片、镀银层和键合线，芯片、镀银层和键合线构成了电路的电源和信号通道。

一种基于框架采用键合线连接技术的封装件还包括有金属凸点。所述镀银层为相互独立的镀银层段，部分镀银层上有芯片，部分镀银层上有金属凸点，所述芯片和金属凸点通过键合线连接，塑封体包围了金属凸点、芯片、镀银层和键合线，金属凸点、芯片、镀银层和键合线构成了电路的电源和信号通道。

一种基于框架采用键合线连接技术的封装件的工艺流程如下：框架镀银→晶圆减薄→划片→上芯→做金属凸点→压焊→塑封→腐蚀框架→切割→包装。

所述做金属凸点的流程可省略。

附图说明

图1为引线框架剖面图；

图2为引线框架镀银后剖面图；

图3为产品上芯后剖面图；

图4为框架植金属凸点后剖面图；

图5为产品压焊后剖面图；

图6为产品塑封后剖面图；

图7为产品腐蚀框架后剖面图；

图8为产品成品剖面图；

图9为产品无金属凸点压焊后剖面图；

图10为产品无金属凸点塑封后剖面图；

图11为产品无金属凸点腐蚀框架后剖面图；

图12为产品无金属凸点成品剖面图。

图中，1为引线框架、2为金属凸点、3为芯片、4为塑封体、5为镀银层、6为键合线。

具体实施方式

下面结合附图说明对本发明做进一步的说明。

如图12所示，一种基于框架采用键合线连接技术的封装件包括有芯片3、塑封体4、镀银层5和键合线6。所述镀银层5为相互独立的镀银层段，部分镀银层5上有芯片3，所述芯片3和无芯片3的部分镀银层5通过键合线6连接，塑封体4包围了芯片3、镀银层5和键合线6，芯片3、镀银层5和键合线6构成了电路的电源和信号通道。

如图8所示，一种基于框架采用键合线连接技术的封装件还包括有金属凸点2。所述镀银层5为相互独立的镀银层段，部分镀银层5上有芯片3，部分镀银层5上有金属凸点2，所述芯片3和金属凸点2通过键合线6连接，塑封体4包围了金属凸点2、芯片3、镀银层5和键合线6，金属凸点2、芯片3、镀银层5和键合线6构成了电路的电源和信号通道。

一种基于框架采用键合线连接技术的封装件的工艺流程如下：框架镀银→晶圆减薄→划片→上芯→做金属凸点→压焊→塑封→腐蚀框架→切割→包装。

所述做金属凸点的流程可省略。

如图1至图12所示，一种基于框架采用键合线连接技术的封装件的制作工艺，按照以下步骤进行：

第一步、框架镀银：在引线框架1的图形部分镀一层3~20um的镀银层5。在框架制作厂家制作过程中，先设计好框架的图形，然后镀银。采用普通框架镀银即可进行产品制作，无需过多加工框架载体，可实现电路连通，缩短设计及制作周期，降低成本。