[发明专利]引线焊盘以及集成电路在审

专利信息
申请号: 201310217417.9 申请日: 2013-06-03
公开(公告)号: CN103295999A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 许丹 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/50
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 引线 以及 集成电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体制造工艺,更具体地说,本发明涉及一种引线焊盘以及采用了该引线焊盘的集成电路。

背景技术

半导体芯片封装是指利用膜技术及细微加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布局、粘贴固定及连接,引出连线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺。其中,连接的作用是将芯片的电极和外界的电路连通,引脚用于和外界电路连通,引线则将引脚和芯片的电路连贴在载片台上。通常,在半导体芯片四周上设置有多个金属化区(典型尺寸为100μm×100μm)作为引线焊盘,通过施加热能和超声能,可以将很细的引线焊接到引线焊盘上。

如图1所示,引线焊盘100包括焊接区域101和保护区域102,所述保护区域102包围焊接区域101。在所述焊接区域101内直接暴露出金属层103,用于与引线连接,所述保护区域102上覆盖有钝化层104,用于保护引线焊盘100不受外界环境的影响。

结合图1和图2,金属层103通常采用铝金属,金属层103通过多个通孔105与下层金属连线106连通,在所述金属层103和下层金属连线106之间设置有介质层107。在焊接引线时,在施加热能和超声能的同时,将引线冲压至焊接区域101内。通常引线采用99.99%高纯度的金线,但是出于成本考虑,目前多采用铜线或者铝线。但是相对于金线而言,铜线或者铝线粘结力明显下降。为了保证引线的粘结力,在焊接引线时,会采用更大的冲压力进行焊接。然而,大的冲压力会导致金属层103的断裂或者通孔105的炸裂,在有些情况下甚至下层金属连线106也会受到伤害,从而导致器件失效、不良率上升。

另外,金属层103在大的冲压力下,还会向外侧延展挤出,金属层103越厚,这种延展挤出效应越突出,金属层103的延展挤出会直接导致周围保护区域102内的钝化层104的断裂,从而造成信赖性的问题。

因此,有必要开发一种避免金属层断裂和通孔炸裂导致下层器件受到损害的引线焊盘。

发明内容

本发明提供一种引线焊盘及集成电路,以解决上述现有技术中存在的金属层断裂和通孔炸裂导致下层器件受到损害的情形,从而实现提高产品良率的目的。

本发明的另一目的在于,解决现有技术中存在的由于金属层延展挤压而造成的引线焊盘缺陷,从而提高器件的信赖性。

为解决上述技术问题,本发明提供一种引线焊盘,包括:

一衬底;

形成于所述衬底上的金属连线;

形成于所述金属连线上的介质层,所述介质层上仅有一个通孔,所述通孔贯穿所述介质层并被导电材料填充,在所述通孔中具有一贯穿所述导电材料的孔洞;

形成于所述介质层、通孔和孔洞上的金属层,所述金属层通过所述通孔与所述金属连线电连接;

其中,所述通孔的位置与所述金属层的位置相对应。

可选的,所述通孔的面积大于或等于所述金属层的面积。

可选的,所述孔洞位于所述通孔的中心。

可选的,所述孔洞被所述介质层的材料所填充。

可选的,所述导电材料为钨。

可选的,还包括形成于所述介质层和金属层上的钝化层,所述钝化层包围所述金属层、并暴露出部分金属层。

可选的,在所述金属层上设置有多个角部凹槽,所述角部凹槽位于所述钝化层内边缘的内切圆与钝化层之间的四个角部区域。

可选的,所述角部凹槽为三角形角部凹槽。

可选的,四个所述角部区域均设置一所述三角形角部凹槽。

可选的,所述三角形角部凹槽的一角朝向所述角部区域的角部。

另外,本发明还提供一种集成电路,包括所述引线焊盘。

本发明所采用的引线焊盘,包括:一衬底;形成于所述衬底上的金属连线;形成于所述金属连线上的介质层,所述介质层上仅有一个通孔,所述通孔贯穿所述介质层并被导电材料填充,在所述通孔中具有一贯穿所述导电材料的孔洞;形成于所述介质层、通孔和孔洞上的金属层,所述金属层通过所述通孔与所述金属连线电连接;其中,所述通孔的位置与所述金属层的位置相对应。因为介质层上仅存在一个通孔并被导电材料填充,并且上述通孔的位置与所述金属层的位置相对应。相当于在金属层的下方存在一个充满导电材料的通孔做衬垫,因此可承受更大冲压力,从而避免了金属层被冲压断裂。同时,因为在所述通孔中具有一贯穿所述导电材料的孔洞,即使所述孔洞在大的冲压力的情况下,也只会在炸裂在通孔内,并不会影响通孔的电连接功能和下层器件,从而避免了因此导致的器件失效,实现了提高良率的目的。

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