[发明专利]半导体装置、利用它的测试方法以及多芯片系统

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年12月20日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2012-0149910的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各种实施例涉及一种半导体集成电路，更具体而言，涉及一种半导体装置以及利用半导体装置的测试方法。

背景技术

一般的半导体装置，例如半导体存储装置被配置成储存数据并且输出储存的数据。为了增加半导体装置的数据储存容量，已经使用了层叠有用于储存数据的存储器裸片的半导体装置。

参见图1，现有的半导体装置包括顺序层叠的第一存储器裸片10至第三存储器裸片30。

层叠的第一存储器裸片10至第三存储器裸片30经由穿通硅通孔（through-silicon via，TSV）而彼此耦接。例如，现有的半导体装置可以包括如图1中所示的多个数据输入/输出TSV DQ_TSV1、DQ_TSV2以及DQ_TSV3。

根据通过测试各个存储器裸片10至30是否正常地储存并输出数据而获得的结果，采用这种方式配置的半导体装置被商业化并在市场上推出。

一种用于测试各个存储器裸片10至30是否正常地储存并输出数据的方法执行如下。首先，将相同的数据储存在各个存储器裸片10至30中，选中第一存储器裸片10至第三存储器裸片30中的一个，以及将储存在选中的存储器裸片中的数据输出。然后，选中另一个存储器裸片，并且将储存在选中的存储器裸片中的数据输出。

例如，将高电平数据储存在第一存储器裸片10至第三存储器裸片30中。然后，从第一存储器裸片10至第三存储器裸片30之中选中第一存储器裸片10，并且将储存在第一存储器裸片10中的数据经由第一至第三数据输入/输出TSV DQ_TSV1、DQ_TSV2以及DQ_TSV3输出。然后，检查从第一存储器裸片10输出的全部数据是否处于高电平。在针对第一存储器裸片10的测试结束之后，选中第二存储器裸片20。将储存在第二存储器裸片20中的数据经由第一至第三数据输入/输出TSV DQ_TSV1、DQ_TSV2以及DQ_TSV3输出。然后，检查从第二存储器裸片20输出的全部数据是否处于高电平。在针对第二存储器裸片20的测试结束之后，选中第三存储器裸片30。将储存在第三存储器裸片30中的数据经由第一至第三数据输入/输出TSV DQ_TSV1、DQ_TSV2以及DQ_TSV3输出。然后，检查从第三存储器裸片30输出的全部数据是否处于高电平。

在现有的半导体装置中，其中层叠的各个存储器裸片如上所述来测试。因此，要执行测试的次数根据层叠在半导体装置中的存储器裸片的数目来确定。因此，当半导体装置的测试次数增加时，半导体装置的生产率降低。

发明内容

在本发明的一个实施例中，一种包括测试单元的半导体装置，所述测试单元包括：数据判断单元，所述数据判断单元被配置成接收多个数据，判断所述多个数据是否相同，以及输出判断结果为压缩信号；以及输出控制单元，所述输出控制单元被配置成响应于测试模式信号和裸片激活信号来将压缩信号输出作为测试结果。

在本发明的一个实施例中，一种半导体装置包括：第一存储器裸片，所述第一存储器裸片被配置成响应于第一存储器裸片激活码而被使能；第二存储器裸片，所述第二存储器裸片被配置成响应于第二存储器裸片激活码而被使能；第一TSV，所述第一TSV被配置成将第一存储器裸片和第二存储器裸片耦接；以及第二TSV，所述第二TSV被配置成将第一存储器裸片和第二存储器裸片耦接，其中，第一存储器裸片包括第一测试单元和第二测试单元，第一存储器裸片响应于第一存储器裸片激活码将第一测试单元和第二测试单元中的一个激活，以及经由第一TSV将第一存储器裸片的测试结果输出，并且第二存储器裸片包括第三测试单元和第四测试单元，第二存储器裸片响应于第二存储器裸片激活码将第三测试单元和第四测试单元中的一个激活，以及经由第二TSV将第二存储器裸片的测试结果输出。