[发明专利]半导体功率器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201310159523.6 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN104078502A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 林永发;张家豪 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体功率器件，其特征在于，包含：
一晶胞区域，设于一半导体基底上；
至少一晶体管器件，设于所述晶胞区域内；
一周边耐压区域，环绕所述晶胞区域；
多个岛状的第一外延层，设于所述周边耐压区域内；以及
一格状的第二外延层，设于所述周边耐压区域内且环绕并隔开各所述岛状的第一外延层。
2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述第一外延层具有第一导电型，所述半导体基底具有第二导电型，所述第二外延层具有所述第二导电型。
3.根据权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述第一导电型为P型，所述第二导电型为N型。
4.根据权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，另包含一第三外延层，介于所述第一外延层、第二外延层与所述半导体基底之间。
5.根据权利要求4所述的半导体功率器件，其特征在于，所述第三外延层具有所述第二导电型。
6.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述晶体管器件至少包含一直线型的所述第一外延层与至少一直线型的所述第二外延层、一离子井设于所述第一外延层的上部区域，以及源极掺杂区位于所述离子井内。
7.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，另包含至少一连续、环状的掺杂带，位于所述周边耐压区域内，将所述多个岛状的第一外延层串连起来。
8.根据权利要求7所述的半导体功率器件，其特征在于，所述掺杂带具有所述第一导电型。
9.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，另包含一过渡区，位于所述晶胞区域以及所述周边耐压区域之间。
10.根据权利要求9所述的半导体功率器件，其特征在于，所述过渡区为环状布局。
11.根据权利要求9所述的半导体功率器件，其特征在于，另包含一护环掺杂区，位于所述过渡区。
12.根据权利要求11所述的半导体功率器件，其特征在于，所述护环掺杂区具有所述第一导电型。
13.根据权利要求11所述的半导体功率器件，其特征在于，在所述护环掺杂区上设有一栅极结构，且所述栅极结构横跨所述过渡区与所述周边耐压区域并延伸至一场氧化层上。
14.根据权利要求13所述的半导体功率器件，其特征在于，另包含一场效电板，位于所述场氧化层上。
15.根据权利要求14所述的半导体功率器件，其特征在于，所述栅极结构与所述场效电板都为多晶硅层。
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