[发明专利]沉积设备以及旋转装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，特别是涉及一种沉积设备以及旋转装置。

背景技术

微芯片加工是一个平面加工的过程，这一过程包含在衬底表面生长不同膜层的步骤，一般的，通过沉积工艺在衬底表面生长薄膜。在衬底表面沉积薄膜有多种技术，主要可以分为化学工艺和物理工艺。其中，化学工艺主要包括化学气相沉积(CVD)和电镀等，物理工艺主要包括物理气相沉积(PVD)、溅射等。下面以化学气相沉积为例对沉积设备的基本结构进行说明。

具体地，请参考图1所示的现有的化学气相沉积设备的结构示意图。化学气相沉积设备10包括反应腔11以及设置于所述反应腔11下方的旋转装置12，一般所述旋转装置12位于所述反应腔11的下侧(背离所述反应腔11进气面的一侧)。

所述反应腔11内形成有相对设置的喷淋头111和旋转台112(如在图1中，所述喷淋头111和所述旋转台112在Y轴方向相对设置)。所述喷淋头111所在的一侧为所述反应腔11的上侧，所述喷淋头111内可以设置多个通孔以提供反应气体。所述旋转台112用于设置衬底支承座，或将所述衬底直接设置在所述转台112的正面(即所述旋转台112的朝向所述喷淋头111一侧的表面)，以带动所述衬底旋转，使得薄膜可以均匀地沉积在所述衬底的表面。

所述旋转装置12所在的一侧为所述反应腔11的下侧，所述旋转装置12用于带动所述旋转台112转动，所述旋转装置12包括旋转支撑轴121、支撑座122以及筒状外壳123，所述筒状外壳的一端1211连接所述支承座122上，另一端1212连接所述反应腔11，所述旋转支撑轴121套设在所述筒状外壳123内，所述旋转支撑轴121一端伸入到所述反应腔11中，并给予所述反应腔11中的所述旋转台112固定连接，所述旋转支撑轴121用以带动所述旋转台112转动，所述旋转支撑轴121通过两个径向轴承124固定于所述筒状外壳123上，所述旋转支撑轴121通过所述筒状外壳123与所述支撑座122的位置相对固定，而所述筒状外壳123与所述反应腔11连接，所以，所述旋转支撑轴121一端1211所连接所述旋转台112与所述反应腔11的相对位置得以固定。

化学气相沉积工艺过程中，在所述旋转支撑轴121的带动下，所述旋转台112会以一定的速度围绕一轴线进行旋转运动，所述轴线为所述旋转台112的正面的中垂线，从而带动所述衬底围绕所述轴线进行旋转运动。

在实际中发现，要保证所述旋转台的上表面水平，才能达到较好的工艺水平，所以需要调整所述旋转支承轴的轴线达到垂直(Y轴方向为垂直方向)，以使得所述旋转支承轴的上表面成水平，从而保证所述旋转台的上表面水平(X轴方向为水平方向)。但现有的旋转支撑轴通过两个径向轴承固定，因此，当需要调节所述旋转支承轴的轴线达到垂直时，需要同步移动两个径向轴承，调节难度较大。

发明内容

本发明的目的是提供一种沉积设备以及旋转装置，解决现有技术中调节所述旋转支承轴的轴线达到垂直难度较大的问题。

为解决上述问题，本发明提供一种沉积设备，所述沉积设备包括：

反应腔，所述反应腔内具有用于带动衬底旋转的旋转台；旋转装置，用于带动所述旋转台转动，所述旋转装置包括：

支撑座；

筒状外壳，其一端连接所述支承座上，另一端连接所述反应腔；以及

旋转支撑轴，其套设在所述筒状外壳内，所述旋转支撑轴的一端伸入到所述反应腔中，并给予所述反应腔中的所述旋转台固定连接，所述旋转支撑轴用以带动所述旋转台转动，其特征在于：

所述旋转支撑轴的另一端通过轴向轴承连接于所述支撑座上。

进一步的，在所述沉积设备中，所述旋转装置进一步包括旋转驱动机构，所述旋转驱动机构驱动所述旋转支撑轴转动。

进一步的，在所述沉积设备中，所述旋转驱动机构位于所述筒状外壳内。

进一步的，在所述沉积设备中，所述筒状外壳与所述支撑座之间为密封连接，且所述筒状外壳与所述反应腔之间为密封连接。

进一步的，在所述沉积设备中，所述筒状外壳与所述支撑座之间通过波纹管连接，或/和所述筒状外壳与所述反应腔之间通过波纹管连接。

进一步的，在所述沉积设备中，所述筒状外壳为波纹管。

进一步的，在所述沉积设备中，所述旋转驱动机构包括驱动马达、驱动轮和驱动带，所述驱动带连接所述驱动轮和所述旋转支撑轴，所述马达驱动所述驱动轮，所述驱动轮通过驱动带驱动旋转支撑轴转动。