[发明专利]整合结构

权利要求书

1.一种整合结构，其特征在于，包含:

衬底，具有第一介电层与第二介电盖层依序设置于衬底上;

金属栅极晶体管，具有设置于该衬底上的高介电常数栅极介电层、嵌于该第一介电层之内的金属电极以及位于该衬底内的源极/漏极;

第一金属接触件，贯穿该第一介电层且与该源极/漏极直接接触;及

硅穿孔，贯穿该第二介电盖层、该第一介电层与该衬底。

2.如权利要求1所述的整合结构，其特征在于，该第一金属接触件的上表面系高于该金属电极的上表面。

3.如权利要求1所述的整合结构，其特征在于，该硅穿孔的上表面系高于该第一金属接触件的上表面。

4.如权利要求1所述的整合结构，其特征在于，该第一介电层包含第一层间介电层与第一介电盖层，该第一金属接触件的上表面系与该第一介电盖层共平面，该金属栅极系与该第一层间介电层共平面。

5.如权利要求1所述的整合结构，其特征在于，该金属电极包含U形的逸出功金属层与低电阻率填充层。

6.如权利要求1所述的整合结构，其特征在于，该金属电极包含铝、该第一金属接触件包含钨而该硅穿孔包含铜。

7.如权利要求9所述的整合结构，其特征在于，更包含:

设置于该第二介电盖层上并覆盖该硅穿孔的第二介电层;

第一内联机结构，贯穿该第二介电盖层上并与该硅穿孔相连接;及

第二内联机结构，贯穿该第二介电层与该第二介电盖层并与该第一金属接触件相连接。

8.如权利要求1所述的整合结构，其特征在于，更包含:

第一缓冲导电结构，设置于该金属电极上;及

第二缓冲导电结构，设置于该第一金属接触件上。

9.如权利要求8所述的整合结构，其特征在于，该第一缓冲导电结构的上表面与该第二缓冲导电结构的上表面系与该第二介电盖层共平面。

10.如权利要求1所述的整合结构，其特征在于，更包含:

第二介电层，设置于该第二介电盖层上并覆盖该硅穿孔、该第一缓冲导电结构与该第二缓冲导电结构;

第一内联机结构，贯穿该第二介电层而与该硅穿孔相连接;

第二内联机结构，贯穿该第二介电层而与该第一缓冲导电结构相连接;及

第三内联机结构，贯穿该第二介电层而与该第二缓冲导电结构相连接。